6寸外延片也来了，已完成这些量产调试，这一紫外新玩家表示将与英特尔合作
近日，行家说UV了解到，鼎镓半导体于2022年1月实现了国内首张6英寸高功率深紫外LED外延的结构设计和生长流片，并完成了工艺和配方的量产调试。从天眼查获悉，鼎镓半导体成立于2021年4月。
据悉，这一实现，将为鼎镓半导体单片100mW以上高功率深紫外灭菌芯片的规模量产做了基础，并有望将传统的50mW以上的单片高功率深紫外LED芯片的生产成本降低到原有价格的三分之一，同时将高功率固态半导体深紫外DUV激光器光源的研制生产变为了可能。
图1 六英寸氮化镓深紫外LED外延片
图2 鼎镓半导体100mW高功率灭菌模组（单颗100mW）
参数
单位
条件
MIN
TYP
MAX
正向电压(VF )
V
IF =450mA
5.5
7.5
8.5
输出功率(Pout )
mW
IF =450mA
80
100
120
峰值波长 (λp)
nm
IF =450mA
255
265
275
半波宽 (Δλ)
nm
IF =450mA
8
10
12
ESD(H.B.M)
V
4000V
表1 鼎镓半导体100mW高功率灭菌模组主要技术指标
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据了解，鼎镓半导体是在普通蓝宝石衬底的基础上，创造性的引入了全新的半导体材料与AlGaN材料结合的方式，通过超晶格结构使用两类半导体化合物材料优势互补，克服了大尺寸深紫外外延片在重铝掺杂的情况下容易出现的晶格失配的缺陷，突破了传统AlGaN外延PIN结构的限制，实现了6寸外延生产工艺的突破。
目前经第三方权威机构检测，外延一致性达到了97%，峰值波长在265nm，输出光功率不低于1500a.u.，核心buffer层厚度突破了4μm，在各项核心指标上均大幅优于现有市面上的深紫外LED外延。
据悉下一步，鼎镓半导体的大尺寸外延样片将送交国内相关国家级重点试验室和新加坡国家级半导体检测机构完成检测认证，随后将和英特尔开展产品上的深度合作。
来源：行家说UV整理、鼎镓半导体
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