ST推出第三代碳化硅功率芯片
以下文章来源于化合物半导体联盟 ，作者化合物半导体杂志
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最新的 STPOWER SiC MOSFET 旨在提高电动汽车 (EV) 动力系统和工业应用的效率
STMicroelectronics 正在推出其第三代 STPOWER SiC MOSFET，用于电动汽车 (EV) 动力系统和其他将功率密度、能效和可靠性作为重要目标标准的应用。
随着电动汽车市场的加速发展，许多汽车制造商和汽车供应商现在都采用 800V 驱动系统来实现更快的充电并帮助减轻电动汽车的重量。ST 的新型 SiC 器件针对这些高端汽车应用进行了优化，包括 EV 牵引逆变器、车载充电器、DC/DC 转换器以及e-climate压缩机。新一代还通过提高电机驱动器、可再生能源转换器和存储系统以及电信和数据中心电源的效率来适应工业应用。
“我们将继续通过器件和封装级别的创新推动这项激动人心的技术向前发展。作为一家完全集成的 SiC 产品制造商，我们能够为客户提供持续改进的性能，”意法半导体（STMicroelectronics）汽车和分立器件集团功率晶体管宏观部门总经理兼集团副总裁 Edoardo Merli 说， “我们正在不懈地投资以支持我们的汽车和工业项目，预计 2024 年 SiC 收入将达到 10 亿美元。”
ST已完成第三代碳化硅技术平台的认证，预计2021年底大部分衍生产品将走向商业成熟。标称额定电压为650V和750V至1200V的器件将上市，为设计人员提供更多选择，以解决从普通交流线路电压到高压电动汽车电池和充电器的应用。首批可用的产品是 650V SCT040H65G3AG，售价为 5.00 美元，以及一个 750V 芯片形式的器件（数据表和报价单应要求提供）。
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