聚焦SiC和GaN！2021年化合物半导体十大事件出炉
英诺赛科全球最大8英寸硅基氮化镓晶圆厂正式投产
2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举行量产暨研发楼奠基仪式，全球最大的氮化镓生产基地正式投产。
此前，英诺赛科表示，项目一期投资总额预计80亿元人民币。投产后产能将逐步爬坡，到2021年底产能达6000片/月。2022年底项目全部达产后，苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值150亿元，利税超15亿元。
湖南三安半导体点亮中国首条SiC垂直整合生产线
2021年6月23日，位于长沙高新产业园区的湖南三安半导体正式点亮投产。这是国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。
湖南三安半导体总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，是一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化生产基地，月产30,000片6寸碳化硅晶圆的超级工厂。
据悉，湖南三安半导体预计将实现年销售额120亿元，年贡献税收17亿元。
意法半导体首批8英寸SiC晶圆问世
2021年7月27日，意法半导体（简称ST）宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸SiC晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到8英寸标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功。
意法半导体的首批8英寸SiC晶圆片性能良好，缺陷率较低，主要源于其收购的Norstel公司在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累。
安世收购英国最大晶圆厂Newport
2021年，8月15日，闻泰科技发布公告，宣布公司全资子公司安世半导体已经完成了对英国最大的芯片制造商Newport Wafer Fab（以下简称“NWF”）母公司 NEPTUNE 6 LIMITED 全部的100%股权的收购。
此次收购，有助于安世半导体将产品线进一步延伸，进一步丰富车用芯片的供给能力，提升市占率。
此外，NWF的化合物半导体技术也能强化安世半导体在化合物半导体领域的布局。
GaN Systems与宝马签署GaN功率半导体产能供应协议
2021年9月14日，GaN Systems宣布与宝马集团就GaN Systems 的高性能汽车级氮化镓功率晶体管签署全面的产能协议，合作金额达1亿美元，这增加了电动汽车关键应用的效率和功率密度。
根据协议条款，GaN Systems 将为批量生产的多种应用提供产能。GaN Systems 的产量保证是宝马等汽车制造商供应链可靠性的关键组成部分。
晶湛半导体成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术
2021年9月23日，晶湛半导体发布了一系列用于200V、650V和1200V功率半导体器件的高质量300mm GaN-on-Si HEMT外延片，这些外延片具有优异的厚度均匀性和低晶圆翘曲，晶圆翘曲可以控制在50微米以内。
这项突破为主流12英寸 CMOS兼容线上的HEMT晶体管生产铺平了道路。
Cree正式更名为Wolfspeed
2021年10月4日，Wolfspeed在美国纽交所正式敲钟上市，同时，公司名称从Cree, Inc. 更改为 Wolfspeed, Inc.。
Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示：“这正式标志着我们已经成为一家纯粹且强大的全球性半导体企业。下一代的功率半导体将由 SiC 技术推动。SiC 技术凭借其卓越的性能，开启新的可能，并将为我们的生活方式带来积极变化。”
GaN快充芯片龙头纳微半导体正式登陆纳斯达克
2021年10月20日，纳微半导体与Live Oak II完成合并，在纳斯达克上市，新公司市值为10.4亿美元，合并后的公司带来3.98亿美元的总收益。
其中，包括来自投资者集团的超额认购和超额发行的1.45亿美元的Live Oak II A类普通股，每股价格为10美元（“ PIPE”）。此笔交易的收益用于资助Navitas的未来增长计划。
安森美收购SiC晶锭供应商GTAT
2021年11月2日，安森美表示，已完成对碳化硅（SiC）生产商GT Advanced Technologies（＂GTAT＂）的收购。此次收购将增强安森美确保和增加SiC供应的能力。
此前，安森美宣布以4.12亿美元现金收购GTAT。
据悉，安森美计划投资扩大GTAT的生产设施，支持研发工作，以推进150毫米和200毫米SiC晶体生长技术，同时还投资于更广泛的SiC供应链，包括晶圆厂产能和封装。
英特尔成立集成光子学研究中心
2021年12月10日，英特尔研究院成立了英特尔面向数据中心互连的集成光电研究中心。旨在通过用电代替光来驱动更快、更高效的计算接口。
该中心的使命是加速光互连输入 / 输出（I / O）技术在性能扩展和集成方面的创新，专注于光电子技术和器件、CMOS 电路和链路架构，以及封装集成和光纤耦合。
英特尔表示，随着需求的持续增长，电气 I / O 的功耗性能调节无法保持同步增长，很快将限制用于计算运行的功率。这一性能障碍可以通过集成计算芯片和光互连 I / O 来克服，这也是英特尔集成光电研究中心的重点工作之一。
以上按事件发生时间排序
图片来源：企业官网、拍信图库
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