Microchip扩展射频 GaN 的应用范围
化合物半导体联盟 .
《化合物半导体》（CSC）是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供行业的专业知识。
新型 MMIC 和分立器件可提供 5G、卫星通信和国防应用所需的性能水平
Microchip Technology 宣布将大幅扩展其 GaN 射频功率器件产品组合，推出新的 MMIC 和分立晶体管，覆盖频率高达 20 GHz。这些器件结合了高功率附加效率 (PAE) 和高线性度，可在从 5G 到电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统以及测试设备的应用中提供新的性能水平。
与所有 Microchip GaN 射频功率产品一样，这些器件采用 GaN-on-SiC 技术制造，可提供高功率密度和良率的最佳组合，以及在 255 摄氏度结温下的高压操作和超过100万小时的使用寿命。
它们包括覆盖 2 至 18 GHz、12 至 20 GHz 和 12 至 20 GHz 的 GaN MMIC，具有高达 20 W 的 3 dB 压缩点 (P3dB) 射频输出功率和高达 25% 的效率，以及裸芯片和封装的 GaN适用于 S 和 X 波段的 MMIC 放大器具有高达 60% 的 PAE，以及覆盖 DC 至 14 GHz 的分立式高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件，具有高达 100W 的 P3dB 射频输出功率和 70% 的最大效率。
“Microchip 继续投资于我们的 GaN RF 产品系列，以支持从微波到毫米波长的所有频率的每一个应用，我们的产品组合包括 50 多种器件，从低功率级到 2.2 kW，”Microchip 分立产品业务部总裁副总裁 Leon Gross 说。“今天宣布的这些产品涵盖 2 至 20 GHz，旨在满足 5G 和其他无线网络中采用的高阶调制技术所带来的线性和效率挑战，以及卫星通信和国防应用的独特需求。”
除了 GaN 器件外，Microchip 的射频半导体产品组合还包括从 GaAs 射频放大器和模块到低噪声放大器、前端模块 (RFFE)、变容二极管、肖特基二极管和 PIN 二极管、射频开关和电压可变衰减器。
此外，该公司还提供高性能声表面波（SAW）传感器和微机电系统（MEMS）振荡器以及高度集成的模块，这些模块将微控制器（MCU）与射频收发器（Wi-Fi?MCU）相结合，支持从蓝牙?和Wi-Fi到LoRa?的主要短距离无线通信协议。
Microchip 提供电路板设计支持以帮助设计插入，该公司的分销合作伙伴也是如此。该公司还为新的 GaN 产品提供紧凑型模型，让客户可以更轻松地模拟性能并加快其系统中功率放大器的设计。
关于我们
《化合物半导体》中国版(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供化合物半导体行业的专业知识。内容涵盖晶体的特性研究，器件结构的设计，生产中用到的材料、设备、软件、测量、厂房设施，以及有关市场分析和动态。
雅时国际商讯（ACT International）成立于1998年，为高速增长的中国市场中广大高技术行业服务。ACT通过它的一系列产品－包括杂志和网上出版物、培训、会议和活动－为跨国公司及中国企业架设了拓展中国市场的桥梁。ACT的产品包括多种技术杂志和相关的网站，以及各种技术会议，服务于机器视觉设计、电子制造、激光/ 光电子、射频/ 微波、化合物半导体、洁净及污染控制、电磁兼容等领域的约十多万专业读者。ACT 亦是若干世界领先技术出版社及展会的销售代表。ACT总部在香港，在北京、上海、深圳和武汉设有联络处。
部分文章转自网络,如有侵犯版权请联系我们,我们会立即删除(18986284126)
