中镓半导体：低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产！
中镓半导体：低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产！
近期，中镓半导体成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范围，并且目前新产品已经开始量产销售。
中镓半导体提供硅掺杂的2英寸高电导率氮化镓自支撑衬底，可用于制备半导体蓝绿光激光器和垂直型氮化镓功率器件。此外，公司还提供碳掺杂的2英寸半绝缘氮化镓自支撑衬底，可用于制备高性能微波射频器件。
图1为使用阴极萤光扫描电子显微镜实拍的2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度mapping，产品所有区域的位错密度均在4×105 cm-2to 7×105 cm-2范围。
图1 位错密度mapping
Source：中镓半导体
图2为使用原子力显微镜测试的2英寸氮化镓自支撑衬底的表面粗糙度mapping。每个未知的测试区域均为1μm×1μm大小，所有区域表面粗糙度(RA)均小于0.2nm。
图2 表面粗糙度mapping
Source：中镓半导体
使用高精度X射线衍射仪测试了产品的晶体质量，整面衬底的C晶向偏M晶向角度和C偏A镜像角度分别在0.35±0.01°和0.00±0.01°范围。(0002)晶面和(10-12)晶面摇摆曲线半峰宽均在30弧秒以内。
表1 不同位置晶向偏角和晶体质量测试
Source：中镓半导体
（文：中镓半导体）
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