左手SiC，右手GaN！这家公司参与欧盟两大项目
左手SiC，右手GaN！这家公司参与欧盟两大项目
12月8日及14日，德国MOCVD外延设备专业供应商AIXTRON SE（爱思强）先后宣布参与了欧盟SiC和GaN相关的TRANSFROM、YESvGaN两大项目，将助力欧盟节能降耗，创建更加绿色环保的经济。
SiC—TRANSFROM项目
8日，爱思强宣布参与了欧盟的TRANSFROM（可靠的欧洲SiC价值链，创造更加绿色的经济）项目。该项目由欧盟及国家基金机构资助，来自7个欧盟国的34个最重要的SiC技术专家将携手在接下来三年内共同打造具备竞争力的欧洲SiC电子电力产品供应链。
据介绍，这个供应链将为欧洲提供可靠的SiC元件和系统，而欧洲价值链将覆盖衬底、晶体管或模块等能量转换器以及高良率CVD（化学气相沉积）系统等。
在TRANSFORM项目中，爱思强的任务和目标是进一步提升用于SiC的CVD沉积技术，包含针对多个200mm SiC衬底在多片腔里同步进行CVD涂层的CVD沉积技术开发、以及实现智能衬底切割的CVD技术开发。据了解，智能切割工艺有助于将细而薄的结晶SiC材料转移至基板上。
爱思强表示，凭借如此强大且节能的SiC供应链，电子电力系统将全面优化，从而实现目前亟需的能效。SiC电子电力产品可带来非常高的节能效果，按照不同应用，使用SiC技术预计能够节省能源高达30%。可以预见，TRANSFORM项目将通过使用SiC技术显着提高能效，为欧洲增强竞争力、构建更加可持续的绿色经济起到明显的推动作用。
Source：拍信网
GaN—YESvGaN项目
14日，爱思强宣布成为欧盟YESvGaN（Vertical GaN on Silicon垂直硅基GaN：以硅的成本实现宽禁带功率产品）研究项目，该项目旨在凭借用于大规模量产的新型工艺技术来开发高效功率晶体管。
据介绍，GaN必须在基于合适衬底（如硅晶圆）上的大尺寸非晶态层上生长，才能符合新型功率器件的要求。而在本次欧盟的硅基垂直GaN功率晶体管项目开发中，爱思强的外延专业技术将派上用场。
同时，为了推动GaN器件进一步渗透市场，爱思强正在300mm晶圆上测试外延生长，这也是YESvGaN研究项目的一部分。现阶段，MOCVD技术主要用于150mm-200mm晶圆上的晶体生长。针对在300mm硅衬底上沉积GaN层，爱思强正在研究开发所需的设备。
爱思强表示，基于已有的硅技术，硅拥有较为明显的成本优势，但硅基GaN功率晶体管有机会在GaN中集成比硅高15%的功率密度。这样的性能预计将优于目前SiC MOSFET（芯片成本上可媲美Si IGBT）的性能。
据介绍，除了爱思强，YESvGaN联盟的合作伙伴还包括博世、德国柏林费迪南德-布劳恩研究所（Ferdinand-Braun-Institut）、莱布尼茨最高频率技术研究所（Leibnitz Institute for Highest Frequency Technology）、德国弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）、德国Finepower、晶圆代工龙头X-FAB集团、NanoWired、世创Siltronic、法国国家科学研究中心（CNRS）、Ion Beam Services、ST意法半导体等等。
YESvGaN联盟预估，欧盟国家通过持续使用YESvGaN垂直膜GaN晶体管，2023年可望节省的电力将相当于7座核电站或10座燃煤发电厂的发电量。（文：化合物半导体市场Jenny）
峰会回看
