来源：全球半导体观察

12月3日，浙江晶盛机电股份有限公司（以下简称“晶盛机电”）第三代半导体新材料项目——年产40万片碳化硅半导体材料项目签约落户宁夏银川经开区。

据宁夏新闻网介绍，该项目是晶盛机电打造高端半导体材料板块的战略布局中最大“拼图”。该项目分两期建设，将建设约7.5万平方米厂房及辅助设施，主要生产6英寸及以上导电型和半绝缘型碳化硅衬底晶片。其中一期投资33.6亿元，建成达产后可提供就业岗位约1000个，年产6英寸碳化硅晶片40万片，可实现年产值24亿元。

资料显示，晶盛机电在第三代半导体材料碳化硅领域的研究持续多年，已具备6英寸碳化硅的长晶技术和晶片加工工艺，已经成功开发出碳化硅长晶炉、抛光机、外延等设备。今年10月，公司公告了计划投资33.6亿元发展碳化硅材料项目，其中通过向特定对象发行股票募集31.34亿元。

晶盛机电指出，此次碳化硅项目的签约实施，将逐步改变国内碳化硅衬底主要依靠进口的现状，缓解下游应用端的材料短缺困境。未来，晶盛机电将通过产业上下游协作发展，进一步打造国内碳化硅材料集研发、生产、应用的全产业链集群发展。

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