24万片/年！苏州再添一条氮化镓产线
24万片/年！苏州再添一条氮化镓产线
11月1日，苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司（以下简称“晶湛半导体”）新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。
据悉，本次项目拟投资28000万元进行异地扩建，在苏州工业园区百川街西、南荡田巷北自购土地建设新厂区，建成后年产氮化镓外延片24万片。其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器。
项目预计2021年11月开工建设，2023年2月完成建筑施工。
晶湛半导体成立于2012年，仅在成立两年后就推出了商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片，是国内氮化镓（GaN）外延领域的领先企业，近年来更是发展迅猛，突破连连。
今年6月，晶湛半导体宣布已将其AlGaN/GaN HEMT外延工艺发展至12英寸硅衬底，同时保持了优异的厚度均匀性和50μm以内的低晶圆弯曲度。
今年6月，美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和晶湛半导体团队合作攻关，通过采用晶湛半导体新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p- GaN reduced surface field (RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。
这也是迄今为止氮化镓功率器件报道实现的最高击穿电压值。
在氮化镓外延领域深耕了近十年的晶湛半导体，对于行业有着独到的见解。
12月7日，晶湛半导体将在深圳出席“2022集邦咨询化合物半导体新应用前瞻分析会”，给大家带来《新型GaN功率器件的外延技术分析》主题演讲，与您一起交流化合物半导体的应用与难题，分享独到见解与最新的解决方案。
会议.
预告
2022集邦咨询
化合物半导体新应用前瞻分析会
12月7日，我们在深圳等您！
