高压大功率SiC器件的封装结构设计
来源：华北电力大学、IN SEMI
既然碳化硅MOSFET的瞬态电流分配，可以采用芯片转移曲线的差异来表征，那么我们就可以将并联瞬态电流分配的差异等价转化为芯片的转移曲线差异，进而又可以等价转化为转移曲线距离系数的差异，从而进行量化分析。这样我们就可以将芯片分选问题抽象为一个数学问题来进行分析。
为了进行数学描述，我们引入了两个距离，第一个距离我们称为芯片距离，也就是将转移曲线离散化，用一个一维向量来表征一条转移曲线，将向量间的栏式距离定义为芯片距离。第二个距离是芯片簇距离，也就是我们任意组合在一起的不同的芯片，我们就成为一个芯片簇，用这个距离我们来表征，包含多颗芯片的一组芯片簇之间的距离。由于电流不均衡，通常关注的是多颗芯片并联后出现的最大的电流分配差异。那么我们就用最长芯片距离来定义芯片簇距离。
本文作者：
赵志斌博士，华北电力大学教授，博士生导师。研究方向为高压大功率电力电子器件、电磁场理论及应用。主持1项国家自然科学基金青年项目、2项国家自然科学基金面上项目、1项国家重点研发计划课题，1项863计划子课题以及一批国家电网公司和中国南方电网公司的科研项目，发表论文100余篇，其中SCI收录40余篇，担任中国电机工程学会电力电子器件专委会首届委员、中国电工技术学会电工理论与新技术专委会委员，获省部级科技奖励5项。
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