一个政策、一项技术，UV LED行业近日发生了……
一个政策、一项技术，UV LED行业近日发生了……
近年来，LED技术持续发展，行业竞争不断加剧，各大厂商开始寻找新蓝海。UV LED作为高毛利的一个细分领域，发展迅速，受到了业内的高度关注。最近，UV LED关注到行业发生了两件事值得关注，涉及设备、技术。
山西省
“十四五”新装备规划扶持UV LED发展
新装备既是发展新基建、新技术、新材料、新产品、新业态关键基础支撑，也是制造业转型升级、提质增效及融入国内国际双循环新发展格局的重要环节，更是高质量转型发展的支柱产业。
近日，UV LED风向从山西省人民政府门户网了解到，在《山西省“十四五”新装备规划》中，将在智能检测设备领域重点突破紫外LED芯片、深紫外LED芯片、MiniLED等核心关键技术，重点研发全波段UV LED系列产品、LED外延产品、紫外应用产品。同时，将加大蓝宝石生长设备及MOCVD设备的研发投入。
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中国科学家
制造出基于AlGaN/GaN HEMT配置的UVPT
近日，由孙海定和龙世兵领导的中国科学技术大学（USTC）团队展示了一个基于AlGaN/GaN HEMT配置的UVPT，使用10/10nm Ni/Au半透明栅极，如下图所示。
当器件在关断状态偏置时，可以实现20 pA的低暗电流。更重要的是，可以获得优异的光电检测表现，其特征是在265nm UV照射下的峰值R值为3.6×107A/W和在365nm UV照射下为1.0×106A/W。这两个值是在关断状态条件下、相同的检测波长下，已报道的UV PD中创记录的高响应率。对UVPT的VGS依赖性光反应的进一步研究表明，由于吸收性AlGaN阻挡层中的电场增加，更负的VGS将显着减少265nm检测的上升/衰减时间。相比之下，VGS对365nm检测的开关过程几乎没有影响，因为GaN通道具有较大的吸收深度并且器件在光电导模式下工作。
在(a)265nm和(b)365nm UV照射下，不同入射功率下的UVPT传输曲线。(c)和(d)显示了在不同UV强度下提取的R和PDCR。
此外，他们观察到器件在265nm和365nm光照下的上升时间(tr)和衰减时间(td)之间存在明显差异，这可以归因于所构建的基于AlGaN/GaN的UVPT结构在器件中有不同吸收机制的独特器件工作原理。
最后，他们提到可以通过优化器件结构、生长技术、ICP蚀刻、蚀刻后处理和栅极金属沉积方案来进一步改进器件。AlGaN/GaN UVPT的这种卓越的光电探测行为提供了一种可行的器件架构，以促进未来基于宽带隙半导体的高性能UV PD的开发。
来源：山西省人民政府、化合物半导体
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