破性能瓶颈？DUVLED高质量AlN外延诞生
破性能瓶颈？DUV LED高质量AlN 外延诞生
7日，武汉大学的研究人员对外宣称，交替的 V/III 比超晶格在蓝宝石衬底上可生长高质量的AlN薄膜。
基于AlGaN的深紫外(DUV) LED 在杀菌消毒方面受到重点关注，但由于缺乏经济且大面积的AlN，目前AlN/蓝宝石是构建基于AlGaN 的DUV LED的最优选模板。然而，AlN和蓝宝石之间的晶格失配导致蓝宝石上的 AlN 外延缺陷密度高，这也一直是基于AlGaN的DUV LED的主要性能瓶颈。
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武汉大学的研究人员通过引入交替的 V/III 比AlN超晶格积木，验证了在相对较低的温度（1180 摄氏度）下，在蓝宝石上进行高质量 AlN 外延的可行性，也证明了交替的 V/III 比 AlN 超晶格通过改变位错倾斜行为在应变松弛和位错减少中起着关键作用。
倾斜的螺纹位错可以提供有效的错配位错段来松弛应变，从而消除在 AlN 生长过程中晶片破裂的风险。
图注：(a) 具有交替 V/III 比率 AlN SL 的 AlN外延结构的示意图。(b) AlN 生长过程中气体通量变化的示意图。
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