纳微半导体×倍思：首发QC5协议氮化镓快充，跑步进入百瓦时代

纳微半导体×倍思：首发QC5协议氮化镓快充，跑步进入百瓦时代

以下文章来源于纳微芯球 ，作者纳微半导体

纳微芯球

全球首个氮化镓功率芯片研发团队纳微半导体，拥有100多项技术专利，覆盖欧美亚太，引领行业发展，定义快充新标准！小米OPPO联想氮化镓充电器核心芯片供应商。中国团队分布杭州上海深圳，全方位提供专业咨询解决方案！

爱尔兰都柏林（PRWeb）：纳微半导体宣布，倍思（Baseus）发布全球首款支持高通 Qualcomm? QuickCharge?5 快充协议的充电器，采用纳微半导体氮化镓功率芯片。得益于100W的高功率快充，以及 QC 5、PD、PPS 快充控制协议加持，全新的倍思充电器能为任何手机和笔记本电脑充电，包括支持三星 45W 快充的 S21 Ultra 和苹果 96W 充电功率的 16 英寸 MacBook Pro。

氮化镓是下一代的半导体技术，它的运行速度是传统硅的 20 倍。纳微半导体旗下品牌 GaNFast? 功率芯片，相比传统硅芯片充电器能带来 3 倍的充电速度，节省 40% 的能源，但体积和重量只有后者的一半。

倍思 GaN2 氮化镓快充充电器 1C 100W，使用单个 USB-C 输出接口，尺寸仅为 67×30×55mm（111cc），178g 的超轻重量，仅售 229 元（约 34 美元）。这些参数让倍思 GaN2 氮化镓快充充电器，相比传统硅充电器要小巧和轻便 40%，并且价格降低 50%。

倍思科技充电类产品线副总经理陈龙扣表示：“在 100W 功率下，用户可以让 4500mAh 电池的手机，在 5 分钟内将手机电量从 0% 充至 50%。除此之外，Quick Charge 5 充电协议让这款 100W 功率的充电器能在其他领域有更好的表现，比如像笔记本电脑的快充。得益于纳微半导体团队的帮助，倍思 GaN2 氮化镓快充充电器能够更快地走向市场，让用户能用一个更小、更轻便的充电设备，替换掉他们笨重的笔记本电脑、手机和平板的充电器。

纳微半导体企业营销和投资者关系副总裁史立维（Stephen Oliver）表示：“倍思是面向未来的公司，他们高度专注于提高用户体验。这意味着他们不仅采用了纳微半导体的功率半导体技术，从而走到了行业领导地位，和高通在快充和控制的合作也是如此。移动快速充电器市场只是氮化镓充电技术实际应用的开始，之后将扩展到电视，家庭连接，数据中心，电动汽车 / 电动交通工具和太阳能等大功率市场。到 2026 年，氮化镓在功率半导体的市场规模将有望达到 130 亿美元。”

倍思GaN2氮化镓快充充电器(型号 #CCGAN100C)使用了一颗 NV6125 GaNFast?? 功率芯片，在高速、硬开关电路中运行，用于功率因素校正（PFC）和 DC-DC 转换器功能。其他的分立式氮化镓解决方案，需要增加元器件的数量、增加 PCB 电路板的面积和系统成本，而且不集成保护电路，容易产生固有的可靠性风险。相比之下，纳微半导体的 GaNFast?? 功率芯片集成了驱动、控制和保护电路，具有无与伦比的能源效率、稳健性和可靠性，足够高的工作频率，芯片设计简单易用、系统成本低、占用 PCB 电路板空间更少。

倍思GaN2氮化镓快充充电器内

采用的纳微氮化镓功率芯片

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