近3.8亿补贴！GaN和SiC快来申请

第三代半导体风向 · 2021-06-08

近3.8亿补贴！GaN和SiC快来申请

最近，科技部发布了“十四五”重点专项2021年度项目申报指南通知，其中，“新型显示与战略性电子材料”重点专项主要围绕第三代半导体等3个技术方向，拟启动25 项目，拟安排国拨经费3.79亿元。

其中，与GaN和SiC相关的项目主要有下面6个，包括大尺寸SiC单晶衬底、GaN单晶新生长技术等。

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??面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件

考核指标：实现 650V电压等级国产GaN 材料和功率器件规模化生产，6-8 英寸Si衬底上 GaN外延层位错密度＜1×108cm-2，异质结构方块电阻＜300Ω/sq，均匀性＜3%；电压等级 650 V的GaN基平面结构器件比导通电阻＜4 mΩ?cm2，导通电阻＜30 mΩ，高频下动态电阻上升不超过 12%；整机功率≥1.5 kW的GaN基AC-DC（220 V-48 V）电源实现系统工作频率≥300kHz，整机最高转换效率≥98%，功率密度≥100 W/in3，输出电压纹波＜0.5%，电流THD＜5%，实现在数据中心服务器领域的示范应用；申请发明专利≥10件，制定国家/行业/团体标准≥2 项。

??大尺寸 SiC 单晶衬底制备产业化技术

考核指标：实现6英寸SiC 衬底材料规模化生产，6英寸SiC 衬底（004）晶面的XRD 摇摆曲线半峰宽＜45 arcsec，TTV＜10μm，LTV＜2μm，WARP＜30μm，表面粗糙度＜0.2nm；其中半绝缘 SiC 衬底的微管密度＜0.3cm-2，电阻率≥1×1010Ω·cm；导电衬底的微管密度＜0.1cm-2，电阻率＜0.025Ω·cm，基平面缺陷密度＜ 1000 个/cm2，螺位错密度＜400 个/cm2；8英寸SiC单晶直径大于203mm，4H晶型比例大于95%，使用面积大于90%，XRD 半峰宽＜60 arcsec；大于0.3μm 的颗粒密度小于0.5个/cm2；申请发明专利≥10件，制定国家/行业/团体标制≥2项。

??基于氮化物半导体的纳米像元发光器件

考核指标：衬底上（≥2 英寸）蓝光纳米像元发光器件：发光单元尺寸2。申请发明专利10项，其中PCT 2 件。

??中高压 SiC 超级结电荷平衡理论研究及器件研制

考核指标：建立起SiC超级结器件的电荷平衡基础理论，揭示器件结构参数和工艺条件对电荷平衡效果的影响规律和机制；超级结结构深宽比≥5:1，器件阻断电压≥3.3 kV，室温下比导通电阻≤6 m?·cm2；申请发明专利≥5 件。

??GaN基宽禁带半导体与Si半导体的单片异质集成方法

考核指标：GaN与Si（100）半导体单片异质集成晶圆中GaN薄膜位错密度＜1×107 cm-2，异质结构二维电子气迁移率≥ 2000cm2/V·s，方块电阻＜400Ω/sq；单片异质集成晶圆上的GaN基射频电子器件截止频率≥40GHz，6GHz 时输出功率密度≥ 3.5W/mm，功率附加效率≥50%，150℃结温下MTTF大于106 小时；Si（100）NMOS晶体管的饱和电流≥100mA/mm，开关比≥105，125℃下MTTF大于106小时；申请发明专利≥5件。

??GaN单晶新生长技术研究

考核指标：用新生长技术制备的GaN单晶直径≥2英寸、厚度≥1cm，在2英寸面积范围内位错密度＜1×104cm2；n型GaN单晶衬底电阻率＜20 mΩ?cm，半绝缘GaN单晶衬底电阻率≥1×108Ω?cm；申请发明专利≥5 件。

??申报方式

1. 请各申报单位按要求通过国科管系统进行网上填报。专业机构将以网上填报的申报书作为后续形式审查、项目评审的依据。申报材料中所需的附件材料，全部以电子扫描件上传。确因疫情影响暂时无法提供的，请上传依托单位出具的说明材料扫描件，专业机构可根据情况通知补交。

项目申报单位网上填报预申报书的受理时间为：2021年6月3日8:00至7月8日16:00。进入答辩评审环节的申报项目，由申报单位按要求填报正式申报书，并通过国科管系统提交，具体时间和有关要求另行通知。

2. 组织推荐。请各推荐单位于2021年7月15日16:00前通过国科管系统逐项确认推荐项目，并将加盖推荐单位公章的推荐函以电子扫描件上传。

3. 咨询电话：010-68104778