重磅：又一家SiC功率器件企业项目通线

重磅：又一家SiC功率器件企业项目通线

初夏缤纷，生机盎然。

经过数百个日日夜夜的顽强奋战，

具有重要意义的一刻终于到来！

5月24日上午，江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。项目的正式通线，标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术，将为徐州市和开发区集成电路产业特别是第三代半导体产业发展注入新的强劲动能。

市委副书记、市长庄兆林，国家02专项总师、欧亚科学院院士叶甜春，中科院微电子所党委书记、副所长（主持工作）戴博伟，市人大常委会副主任、市总工会主席束志明，市政府秘书长周天文，开发区党工委书记李淑侠，开发区党工委副书记、管委会主任臧晓鹏，江苏中科汉韵半导体有限公司董事长袁述等出席活动。

中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心主任罗军，中国科学院大学微电子学院教授赵超，电子科技大学教授张波，上海新傲科技股份有限公司CEO王庆宇，南方科技大学深港微电子学院教授郭跃进，武汉大学工业科学研究院、动力与机械学院院长刘胜等业界嘉宾参加活动。

市委副书记、市长庄兆林讲话

中科院微电子所党委书记、副所长（主持工作）戴博伟致辞

开发区党工委书记李淑侠致辞

江苏中科汉韵半导体有限公司董事长袁述介绍项目情况

庄兆林、叶甜春、戴博伟、束志明、周天文、李淑侠、臧晓鹏、袁述共同启动中科汉韵碳化硅功率器件项目通线按钮。

中科汉韵

是中科院微电子所碳化硅科技成果产业转化的成功典范。项目一期建筑面积2.1万平方米，建设年产5000片碳化硅功率器件生产线。中科汉韵是中国科学院微电子研究所和徐州共同投资的半导体芯片设计与制造(IDM)企业，专注于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片。中国科学院微电子所经过多年研究与中科汉韵行业专家开发，取得了碳化硅MOSFET芯片结构设计核心技术和工艺制造核心技术。

中科汉韵团队包括中国科学院微电子研究所的行业专家和多位国内外半导体领域博士，他们拥有多年大型芯片制造企业工作经验，为批量产品稳定性和重复性提供了技术支持。中科汉韵将致力于高质量碳化硅功率器件国产化，为客户提供高性能的SiC功率器件, 打造成为国内一线、世界前沿的SiC器件企业。

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《化合物半导体》中国版(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供化合物半导体行业的专业知识。内容涵盖晶体的特性研究，器件结构的设计，生产中用到的材料、设备、软件、测量、厂房设施，以及有关市场分析和动态。

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