GaN渗透率仅1%?这家企业二厂年底预产,产能将提升10倍
第三代半导体风向 · 2021-05-19
GaN渗透率仅1%?这家企业二厂年底预产,产能将提升10倍
最近,江苏能华微电子在深圳召开经销商渠道大会,除了披露了其第三代半导体的制造链条和展示GaN Power HEMT的应用场景,还透露了二厂的最新建设进度——年底预产,未来将提升10倍产能。
二厂年底预产
新签2.7亿项目
据江苏能华官网,该公司于2010年创建,已建立了GaN功率器件生产线,项目计划总投资50亿元,一期投资超10个亿。
2013年初能华建立了GaN研发中试线,2016年6月启动了GaN功率器件6英寸生产线,2018年1月启动GaN外延8英寸研发和生产线。
目前,江苏能华的二厂也已经在筹备建线中,在接受媒体采访时,江苏能华总经理朱廷刚博士透露,“预计年底可以进入到预生产状态,经过产能爬坡以后,将会是现在的十倍规模。”
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另外,“三代半风向”还发现,今年2月7日,江苏能华与山东济阳区签约,将建设氮化镓器件封装项目,总投资2.4亿元。
GaN渗透率仅1%
能华将发力汽车、工业
据朱廷刚介绍,能华目前采用IDM模式,集设计、制造、封装、测试以及生产等多个产业链环节于一身。
技术方面,目前江苏能华在美国、苏州、深圳三地的研发、测试条件已经同步,“能华GaN HEMT的性能和参数都是顶尖的,我们在不同功率段,比如33W、65W等市场有不同方案,在体积、能效、性能、方案灵活度等方面很有竞争力。”
随着GaN功率器件在2020年实现量产,江苏能华加快了市场布局。朱廷刚说,“到了目前这个阶段,我们具备了量产能力,我们Ready了,这次的经销商大会只是见个面,让大家认识能华。”
对于未来的市场空间,他表示,“之前安克CEO说,全球充电器市场每年是40亿左右的产量,其中GaN氮化镓只有1%,未来的市场需求很大。我相信GaN在一些方面取代硅是必然的,能华一定会抓住这个机会。”
除了电源行业,后续能华还将在汽车、工业等方面持续投入。据“三代半风向”了解,能华微还参与了众多重点项目。
? 2020江苏省重点研发计划
课题名称:面向5G通信应用的6英寸碳化硅上高质量氮化镓外延生长研究
立项时间:2020年
重点解决6 英寸GaN 外延材料位错密度高、翘曲度大、均匀性差和重复性差等科研与学术的关键难题,提高国产SiC 衬底GaN HEMT 外延材料和微波器件技术水平,形成具有自主知识产权的成套核心技术,满足民用5G 移动通讯基站和雷达等军民领域的爆发式增长需求。对解决关键材料“卡脖子”问题,摆脱受制于人的被动局面具有重要战略意义。
? 2018江苏省重点研发计划
课题名称:蓝宝石基高可靠GaN-HEMT器件制备及应用关键技术研发
立项时间:2018年
研制出满足智能家电、新能源汽车等应用需求的高可靠性蓝宝石基增强型GaN-HEMT器件。
? 2018江苏省重点研发计划
课题名称:大尺寸、高质量氧化镓超宽禁带功率半导体材料关键技术开发及应用
立项时间:2018年
在材料外延技术和规模化制备工艺方面取得关键性突破,获得满足功率电子器件要求的高质量、大尺寸、低成本Ga2O3外延晶圆,为我国在先进功率半导体及其电力电子器件领域的发展和实用化提供技术支撑。
? 2017国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项
课题名称:GaN基新型电力电子器件关键技术 课题GaN基功率器件雪崩击穿效应与新型耐压结构
立项时间:2017年
GaN基器件耐压水平实现突破,达到国际先进水平,阐明GaN基器件的稳定性问题,找到提高器件稳定性方法;尝试GaN基器件在电源中的应用,为推广实用化打下基础。
? 2016江苏省重点研发计划
课题名称:高性能增强型Si基GaN功率开关器件共性关键技术研发
立项时间:2016年
结合国家在节能减排和实现能源高效利用等方面的发展需求,以实现高性能增强型Si基GaN功率开关器件为目标,开展与之相关的共性关键技术的研发工作,实现相关的技术突破与产业化开发。
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