11.6亿！汉磊SiC/GaN扩产了！

第三代半导体风向 · 2021-05-02

11.6亿！汉磊SiC/GaN扩产了！

据台湾媒体报道，4月29日，台湾官方通过了8件投资案，其中包括汉磊科技，它将在竹科投资50亿新台币（约11.6亿人民币），全力发展化合物半导体技术，包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）外延和器件代工。

同时，根据台湾企业并购法第19条，汉磊先进投资控股将与设立于竹科的汉磊科技合并，改名“汉磊科技股份有限公司”。

汉磊很早就进行第三代半导体的布局，而且开始获益，2020年曾传出英飞凌包下汉磊集团氮化镓外延产能。

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2019年，汉磊科技总经理庄渊棋曾表示，他们自2015年开始生产宽禁带半导体，可为600V-1200V SBD和MOSFET提供4英寸SiC代工服务，并正在建立一条6英寸SiC生产线，2019年下半年试产，其SBD/JBS平台良率超过95%。同时，汉磊还在开发1700V的SiC SBD和SiC沟槽MOSFET工艺。

汉磊科技2020年第2季已通过欧规车用VDA6.3评鉴，通过VDA6.3评鉴后，已有4家客户洽谈。而且汉磊科技的48V GaN也已取得Tier 1客户认证，650V GaN 已有数个客户在导入。

2020年6月，汉磊与旗下子公司嘉晶6英寸碳化硅晶圆已在试产阶段，并表示，2020年下半年只要通过客户验证，出货量、营收的贡献有望增长。

同时，2020年嘉晶完成了650V的GaN on Si 外延平台开发，并开发出应用于射频的GaN on SiC和GaN on Si 外延产品，GaN on SiC 2020年底验证完成，GaN on Si 预计2021年验证完成。

此外，嘉晶已开发完成 1700V 与 3300V SiC 外延平台，3300V SiC 外延平台已有日本客户在新干线模块上，完成验证。