刚刚！安世半导体第二代650V功率GaNFET开始批量供货

刚刚！安世半导体第二代650V功率GaN FET开始批量供货 收录于话题 #氮化镓（GaN） 5个

今日，安世半导体（Nexperia）宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。

据悉，此次批量的器件与之前的技术和竞争对手器件相比，具有显着的性能优势。

全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS?钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。

安世半导体是闻泰科技控股子公司，主要产品有二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。每年可交付900多亿件产品，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

此前，闻泰科技副总裁吴友文谈到安世半导体产品时称，安世半导体已经推出SiC二极管产品，而SiC Mosfet预计年底左右推出。

文稿来源：化合物半导体市场，Amber整理

图片来源：拍信网

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