刚刚!安世半导体第二代650V功率GaNFET开始批量供货
化合物半导体市场 · 2021-04-28
刚刚!安世半导体第二代650V功率GaN FET开始批量供货 收录于话题 #氮化镓(GaN) 5个
今日,安世半导体(Nexperia)宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
据悉,此次批量的器件与之前的技术和竞争对手器件相比,具有显着的性能优势。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS),特别是必须满足80 PLUS?钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装,对于给定RDS(on)值,芯片尺寸缩小36%,具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路,加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能,为设计人员提供极大的灵活性。
Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。
安世半导体是闻泰科技控股子公司,主要产品有二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。每年可交付900多亿件产品,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。
此前,闻泰科技副总裁吴友文谈到安世半导体产品时称,安世半导体已经推出SiC二极管产品,而SiC Mosfet预计年底左右推出。
文稿来源:化合物半导体市场,Amber整理
图片来源:拍信网
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