7.5亿元项目开始试产，将颠覆碳化硅衬底生产技术？

第三代半导体风向 · 2021-04-13

4月8日，顺义区政府官网发布信息称，北京晶格领域半导体有限公司投资设立的碳化硅晶圆项目厂房已装修完毕，第一批设备全部进场，并开始试生产。

晶格领域成立于2020年6月，其主营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。其股权架构如下：

2020年7月6日，液相法生长碳化硅半导体衬底项目落户中关村顺义园。据“三代半风向”了解，该项目是中科院物理所科技成果转化项目，由晶格领域实施运营，分三期落地实施，计划总投资7.5亿元。一期投资5000万元，在中关村顺义园租赁厂房1050平方米，建设4—6英寸液相法碳化硅晶体中试生产线。

据介绍，该项目技术将颠覆传统物理气相传输工艺生长技术，可实现碳化硅衬底生长的低成本、高效率、高质量制备。

此前，“三代半风向”就报道了北京顺义第三代半导体产业标准化厂房项目的建设情况（.点这里.），此外，北京还汇集泰科天润、天科合达、世纪金光等多个碳化硅项目。

2020年8月17日，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在北京市大兴区举行开工仪式。项目总投资约9.5亿元，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。

2020年2月，中关村科技园区顺义园管理委员会与泰科天润签订项目入区协议。该公司将整体迁入顺义区，在临空国际板块占地20亩，总投资4亿元，建设运营总部及应用于新能源汽车、国家电网等领域的碳化硅器件生产基地，项目建设期2年。

2018年2月1日，6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司成功通线。

2015年3月，中科院半导体所、中科院物理所、北京天科合达蓝光半导体有限公司等联合承担的北京市科委重大项目“1200V/20A碳化硅二极管研发”通过专家验收。通过项目实施，北京地区实现了碳化硅从单晶材料制备、外延材料生长到二极管芯片研制及其在电力系统应用验证的全链条国产化，并形成了年产能2万片4英寸SiC晶片，30片4英寸外延片，年产10万只SiC二极管及1万只碳化硅模块的小批量生产能力，国产碳化硅器件已经初步通过光伏逆变器的应用验证。