【行家快报】MicroLED近期发展动态一览

行家说Talk · 2021-03-22

【行家快报】Micro LED 近期发展动态一览

本期快报看点：

富采看好Mini LED/Micro LED发展将评估扩产；

事关Micro LED！国外一厂商推出新型集成测试系统；

重磅！这家大学研发出尺寸小于10微米的红光Micro LED芯片。

富采看好Mini LED/Micro LED发展将评估扩产

LED大厂富采投控看好Mini LED / Micro LED未来应用发展，目前在Mini LED/Micro LED技术及品质皆有优势，针对专利也有完整布局。公司表示，未来若Mini LED/Micro LED蔚为风潮，将评估扩建产能，下一个产能投资地点可能是在大陆。

富采投控董事长李秉杰指出，一台Mini LED背光3C产品至少用掉10000颗Mini LED，以晶电现有产能来说，大概只足够供应1000万台Mini LED背光3C产品。Micro LED又必须用6寸磊晶片机台去做，以40多万片6寸磊晶片来看，大概只能做10多万台Micro LED电视。

而笔电、监视器/电脑屏幕、电视每年出货规模都是上亿台，液晶电视每年出货规模更超过2亿台。换言之，即使晶电现有蓝光LED产能全部投入生产Mini LED或Micro LED，都不够满足整体市场需求。

富采投控旗下晶元光电总经理范进雍进一步表示，目前晶电台湾蓝光产能已有90%用于Mini LED，如果Mini LED应用成为潮流，接下来可能就必须扩充产能，下一个产能投资地点可能是在大陆。

虽然现阶段LED产能还是供过于求，但以Mini LED需要的品质规格来说，Mini LED产能却供不应求。至于Micro LED目前市场渗透率还很低，如果未来Micro LED需求提升，现有产能也是不足。

后段封装及模组方面，富采投控旗下隆达电子董事长苏峰正说明，经过几年耕耘，去年公司的Mini LED背光产品已有客户开始放量拉货，隆达也建置了Mini LED自动化产线，随着客户需求成长，公司也会继续增加Mini LED后段产能。

苏峰正强调，现在电视要求高画质、广色域、薄型化、窄边框，Mini LED背光技术可以同时满足电视面板的各种技术需求，另外户外强光阅读使用的高亮度显示器也很适合。公司的Mini LED背光初期是以高阶IT显示器（电竞等等）、医疗显示器应用为主，希望明年能扩大到中阶应用市场，车用显示器应用产品也希望能够在明后年放量。

李秉杰认为，这次在Mini LED/Micro LED竞争局势中可以发现，供应商除了要生产得快，品质也相当重要，以动辄上万颗LED形成的萤幕来说，如果无法达到一定的品质水准，客户的系统损失将远大于晶片成本，这会让客户更加重视前段零件的制造技术。

来源：moneydj

事关Micro LED！国外一厂商推出新型集成测试系统

据国外媒体MicroLED-info 报道，STAr Technologies为Micro LED和Mini LED设备推出了新的检查系统。据资料显示，Unicorn-LAIT是一个具有并行测试仪器，探针台和探针卡的集成系统，可以满足批量生产的需求。

STAr表示，其新系统可以对准多达6英寸的晶圆和探针卡，以进行自动探测测试。并行测试仪器将基于带PMU的STAr Taurus-LPX，能够并行执行48个至最多240个LED。STAr Unicorn-LAIT归功于高效的系统结构，适用于LED工业芯片制造商和光学设备制造商。

来源：MicroLED-info

重磅！这家大学研发出尺寸小于10微米的红光Micro LED芯片

据国外媒体compoundsemiconductor日前报道，加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）的研究人员声称已首次展示了尺寸小于10μm的基于InGaN的红色Micro LED。他们的工作包括对晶圆上外部量子效率（EQE）的测量-值为0.2％。

该团队的微型Micro LED将帮助开发基于这些设备以及绿色和蓝色表亲的显示器。与现有技术相比，由大量微型LED形成的屏幕有望提供更高的对比度，更高的亮度和更快的响应时间。

在发布UCSB之前，Soitec率先缩小了基于InGaN的红色Micro LED的规模，该设备在2020年报告了尺寸为50μm的器件。UCSB团队发言人Shubhra Pasayat指出，Soitec没有给出EQE的数字。。

Pasayat认为UCSB团队设定的新基准是一个重要的里程碑：“对于可行的商业化，10微米以下的Micro LED非常必要。”

Pasayat认为，除了尺寸如此之小之外，Micro LED还需要具有至少2％至5％的EQE才能在显示器中使用。尽管UCSB团队距离该目标还很遥远，但工作尚处于起步阶段，可以预期会有实质性的改进。

图像是在5 A cm -2的驱动电流下拍摄的。

West-coast团队正在寻求基于InGaN的红色MicroLED，而不是由AlGaInP和相关合金制成的红色MicroLED，因为后者系列的尺寸依赖于效率降低，这与高表面重组速度和更长的载流子扩散长度有关。除了只能通过侧壁钝化部分解决的这个问题之外，由于AlGInP型MicroLED的载流子在较小的势垒高度上泄漏，因此随着温度升高，效率会下降，从而阻碍了基于AlGInP的MicroLED的工作。迄今为止，此类设备的最佳结果是20μm的尺寸。没有给出EQE的数字。

UCSB的成功取决于多孔GaN伪衬底上器件的增长。该基础具有顺应性，可减少在基于InGaN的器件中发出红光的富铟有源区中的应变。

通过在MOCVD室中装入蓝宝石衬底并沉积2μm厚的无意掺杂的GaN层，然后沉积800 nm厚的硅掺杂的GaN层和100 nm厚的无意掺杂的帽盖，开始制造MicroLED。在刻蚀800纳米厚的GaN层之前，干法蚀刻定义了11μmx 11μm的瓷砖图案。

所得的多孔GaN伪衬底为LED结构提供了柔顺的基础，该结构具有三个3 nm厚的In 0.26 Ga 0.74 N量子阱，每个阱均覆盖有1.5 nm厚的Al 0.45 Ga 0.55 N帽盖和11 nm厚的GaN障碍。通过使用电子束蒸发在p型层上添加110 nm厚的铟锡氧化物欧姆接触形成MicroLED，然后转向反应离子蚀刻以定义6μmx 6μm的有源区，并用Al钝化结构2 O 3，然后添加金属触点。

在5 A cm -2下驱动器件时，晶圆上测量显示在646 nm处有一个峰值。对于使用相同工艺但在蓝宝石上生产的对照，在相同的电流密度下，峰值在590 nm处。Pasayat及其同事将发射波长的显着差异归因于铟在多孔GaN伪衬底上生长的量子阱中更有效地掺入。

在10 A cm -2的驱动下，Micro LED的EQE峰值为0.202％。封装应将这一数字提高到0.6％以上。将电流提高到100 A cm -2，将光输出提高到76 nW，对应于2.1 W mm -2－该输出功率密度刚好超过尺寸为20μm的最佳AlGaInP Micro LED。

团队的下一个目标是提高其设备的EQE。Pasayat表示：“我们正在计划改善材料质量以及制造步骤，”

来源：compound semiconductor