SiC芯片制造关键设备再突破！离子注入机产品国产化

SiC芯片制造关键设备再突破！离子注入机产品国产化

3月17日，中国电子科技集团有限公司集团旗下装备子集团，已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。

碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。

离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。

据介绍，中国电科连续突破高性能离子源、高速晶圆传输等“卡脖子”技术，自主研制中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机，工艺段覆盖至28nm，累计形成核心发明专利413项，实现我国芯片制造领域全谱系离子注入机自主创新发展，有效缓解我国芯片制造领域断链、短链难题。

文稿来源：化合物半导体市场，Amber整理

图片来源：拍信网

碳化硅与氮化镓的同与不同

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