台积电产能增40倍、博世投77亿、罗姆投35亿...碳化硅、氮化镓这么热?

第三代半导体风向 · 2021-03-11

台积电产能增40倍、博世投77亿、罗姆投35亿...碳化硅、氮化镓这么热?

昨天,“三代半风向”报道了三安、露笑和斯达等9家企业超过300亿元的扩产、融资情况(.点这里.)。而今年第一季度,博世、罗姆、台积电和SK Siltron等6家企业也同样在扩大第三代半导体产能。

其中,博世投资77亿人民币建造的最新德国工厂已经开始生产;罗姆的新工厂也已竣工,累计投资额约36亿人民币,碳化硅产能将提升5倍;而台积电最近传闻购买了16台氮化镓设备,产能将超过1万片,而其客户透露台积电今年的氮化镓产能将提升40倍。

随着产能的不断提升,第三代半导体的产品价格已经在下降,最近国外一家企业透露,其氮化硅晶体管价格已经低至1美元以下。

博世、罗姆新工厂将投产

台积电被曝提升40倍产能

3月9日,据《Robotics&Aotomaiton》报道,博世集团位于德国德累斯顿的芯片工厂已经开始生产第一批半导体晶圆,据报道,该芯片工厂投资额约为10亿欧元(77亿人民币)。而博世从2019年开始就在该工厂研发碳化硅产品。博世董事会成员Harald Kroeger表示,该芯片厂预计在今年年底启动运营。

罗姆也新建了碳化硅芯片工厂。据日经在线报道,2021年1月,罗姆投资举行了宫崎新工厂竣工仪式,目前已经开始安装生产设备,新工厂将于2022年正式投入运营。罗姆此前表示,2025年3月底前计划对宫崎工厂累计投资600亿日圆(约35.8亿人民币),以将SiC芯片产能扩增至2016年度的16倍,其中新能源汽车SiC功率半导体产能将是目前的5倍。

2月23日,台积电被台湾《自由财经》曝出已经购买了16台氮化镓(GaN)相关设备,台积电现有6台6寸生产设备,这笔投资达产后,其GaN设备数量增加了2倍以上,产能将增至逾万片。

GaN Systems的公告印证了台积电的扩产传闻。2月8日,GaN Systems表示其GaN晶体管的出货量达到了2000万颗,同时还表示其工厂合作伙伴将在2021年将产能提升40倍。GaN Systems首席执行官Jim Witham说,公司的巨大出货量得益于巨大的需求增长,以及台积电(TSMC)产能领先于需求曲线的承诺。

而“三代半风向”综合国外媒体的消息发现,第三代半导体扩产成为了全球化现象:

韩国SK Siltron已开始少量生产碳化硅晶圆。

英国纽波特晶圆厂计划将代工级650V硅基GaN HEMT工艺应用在200mm(8英寸)晶圆平台上,以将目前8000片/周的晶圆产能扩大到14000片/周。

Cambridge GaN Devices宣布获得950万美元的A轮融资,扩大其功率器件产品组合。

印度也考虑建设芯片厂,当地官员认为,印度建立芯片厂的最佳机会在于化合物半导体,例如氮化镓、碳化硅。

订单量增长

价格开始下降

受到充电器、电动汽车以及5G通信等市场的拉动,第三代半导体的订单量不断在增长,除了GaN Systems宣布出货量超过2000万颗外,2月22日测试设备供应商Aehr Test Systems也宣布获得了130万美元的WaferPak耗材订单,而此前其客户已安装了FOX多晶圆测试设备系统,这些订单都是用于新能源汽车的碳化硅功率半导体等产品的批量生产测试。

随着产量的不断增长,第三代半导体的价格也在不断下降。最近,GaN Systems宣布,其GaN晶体管的价格已跌至1美元以下。

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