斯达半导募资35亿元,投建SiC芯片/功率半导体模块等项目

GaN世界 · 2021-03-05

斯达半导募资35亿元,投建SiC芯片/功率半导体模块等项目

来源:科创板日报

财联社(杭州,记者 邓浩)讯,3月2日晚,斯达半导(603290.SH)发布定增预案,业内人士认为,此举意在提升公司的产品丰富度,突破产能瓶颈,加快进口替代。

公告显示,公司拟非公开发行股票募资不超过35亿元,其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC研发及产业化项目,预计达产后年产36万片功率半导体芯片;7亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目,达产后,预计新增年产400万片的功率半导体模块。

“高压特色工艺功率芯片这块项目,主要用于智能电网、轨道交通,这是为了提升自己产品的丰富度。以前可能只是在中低压的IGBT,现在可能高压也要做;SiC芯片则是在汽车领域用得比较多,这可能是下游新能源车的放量预期带动。”某券商行业分析师对财联社记者表示。

据了解,目前8寸产能供不应求,功率半导体在新能源汽车、白电等领域驱动下景气度持续。公司作为国内IGBT行业的领军企业,市占率在5%左右。华西证券分析师孙远峰认为,此次定增项目有望突破产能瓶颈,提升市占率,加快实现在IGBT及其模块的进口替代。

根据中汽协数据统计,2020年新能源汽车产销分别完成136.6万辆和136.7万辆,预计2021年新能源汽车销量将达到180万辆,同比增长40%。2020年11月国务院印发《新能源汽车产业发展规划(2021—2035年)》中明确提出,2025年,我国新能源汽车新车销量占比达到25%左右。

“新能源车是一个发展趋势,现在渗透率提升了一点,市面上与电池能源转换相关的功率半导体器件都不够用了,预期来看,随着新能源车销量增长,会更缺货。“上述行业分析师表示。

而与 Si(硅)基的 IGBT 相比,SiCMOSFET 在产品尺寸、功率消耗方面大幅减小,较大提升了新能源汽车电池的电能转化效率。根据IHS数据,预计到2027年SiC功率器件的市场规模将超过 100 亿美元,2018-2027 年的复合增速接近 40%。孙远峰认为,通过此次定增项目,将进一步提升公司在汽车级全SiC功率模组的技术水平,加强与终端品牌客户的合作交流。

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