盘点|2020第三代半导体行业重要事件回顾

盘点 | 2020第三代半导体行业重要事件回顾

SiC、GaN，在过去的一年里频繁出现，成为了科技领域的两大热词！随着国家的重视，行业的广泛运用，以SiC、GaN为主要代表的第三代半导体成为瞩目的明星，下面让我们回顾下2020中第三代半导体行业重要事件。

1月

罗姆集团与意法半导体就碳化硅(SiC)晶圆长期供货事宜达成协议

全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“ST”）宣布，双方就碳化硅（以下简称“SiC”）晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH （以下简称“SiCrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由SiCrystal（SiC晶圆生产量欧洲前列）向ST（面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商）供应先进的150mm SiC晶圆。

2月

小米发布GaN充电器65W

小米在2月新品直播发布会上，发布了小米GaN充电器Type-C 65W，采用氮化镓技术，最高支持65W疾速充电，搭配小米10 Pro可实现50W快充，体积小巧便携。

台积电将与意法半导体合作，加速GaN制程技术开发

台积电宣布与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化镓（Gallium Nitride, GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司的氮化镓制程技术来生产其氮化镓产品。

英飞凌新增650V产品系列，完备硅、碳化硅和氮化镓3种技术

英飞凌科技（Infineon）持续扩展其全方位的碳化硅（SiC）产品组合，新增650V产品系列。英飞凌新发表的CoolSiC MOSFET能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和耐用度不断提升的需求，包括：服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门资深协理Steffen Metzger表示，推出这项产品后，英飞凌在600V/650V电源领域完备了硅、碳化硅和氮化镓（GaN）型功率半导体产品组合。

比亚迪汉EV采用自研碳化硅模块，实现3.9秒百公里加速

比亚迪公布旗下中大型轿车汉EV首次应用自研“高性能碳化硅MOSFET电机控制模块”，助力其0-100km/h加速仅需3.9秒。新车采用前后双电机全时四轮驱动形式，并首次采用“刀片电池”。根据此前信息显示，该车或于2020年第二季度末/第三季度初（6月份左右）上市。

4月

科锐推出新型650VMOSFET，提供业界领先效率

作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司，宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。新型15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件，采用科锐业界领先的第3代C3M MOSFET技术，比之竞品碳化硅MOSFET，可最高降低20%开关损耗，为更高效率和更高功率密度的解决方案提供更低的导通电阻。

6月

三安光电拟160亿元在长沙投建碳化硅等化合物第三代半导体产业园

三安光电公司拟160亿元在长沙投资半导体产业化项目。近年来，三安光电在化合物半导体领域持续发力，长沙项目也是三安光电在泉州三安之后又一个聚焦化合物半导体的项目。三安光电称，公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶-衬底制作-外延生长-芯片制备-封装产业链，投资总额160亿元。据称，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。

8月

天科合达第三代半导体材料项目开工

北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式举行。资料显示，第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目，总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。

9月

全球最大氮化镓工厂正式在苏州建设完成

英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也标志着中国半导体创新史步入一个新纪元。该项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片，产品将为5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件。

银河世纪科创板IPO过会，涵盖功率器件、第三代半导体和LED

上海证券交易所科创板股票上市委员会于2020年第81次审议（9月25日）会议上同意常州银河世纪微电子股份有限公司（下简称银河微电）发行上市。。

11月

华为再投第三代半导体企业

专注于半导体领域的宁波润华全芯微电子设备有限公司发生工商变更，新增股东为哈勃科技投资有限公司，该公司是由华为成立的一家投资公司。据了解，作为华为旗下的平台，自2019年4月成立以来，仅一年多的时间里，已先后投资了20家半导体供应链企业，包括山东天岳、东微半导体、杰华特、东芯半导体、纵慧芯光、鲲游光电、好达电子、庆虹电子、全芯微电子等。

TI推出下一代650V和600V氮化镓场效应晶体管（FET）

TI正式宣布推出面向面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。据了解，一款是针对汽车市场的650V GaN FET，另一款则是针对工业市场的600V GaN FET。需要注意的是，型号中带有Q1的为650V GaN FET产品，没有带有Q1的则是600V GaN FET产品。据悉，LMG3525R030-Q1是一款集成驱动和保护功能的650V汽车GaN FET，可以提高系统长期稳定性并缩短充电时间，与现有的硅基和碳化硅方案相比可以减小车载充电器50%的体积，这主要得益于高达2.2-MHz的切换频率和集成驱动所发挥的优势。因此利用GaN技术可为汽车带来更快的充电时间、更高的可靠性和更低的成本。

重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。据悉，第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，具备体积小、效率高、用电量少等特点。“这款功率半导体芯片电量能节省10％以上，面积是硅芯片的1／5左右，开关速度提升10倍以上。”重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露，目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

康佳第三代半导体项目落户江西

总投资300亿元人民币的江西康佳半导体高科技产业园暨第三代化合物半导体项目正式落户江西省首个国家级经济技术开发区——南昌经开区。

该项目分两期建设，一期投资50亿元人民币，主要建设第三代化合物半导体项目及其相关配套产业，同步建设半导体研究院，将打造成集研发、设计、制造为一体的高科技项目；二期项目以半导体材料类、半导体应用类项目为主，以及半导体封测类、芯片设计类项目，引进一批符合该产业园定位的半导体及相关产业链项目，为实现第三代化合物半导体材料、应用、封测、芯片设计等产业生态链布局。

12月

华灿光电完成15亿定增 为第三代半导体业务发展添新动能

华灿光电完成15亿元的募资，本次定增项目顺利落地，将进一步优化其资本结构，降低资产负债率，提升综合竞争力提供有力支撑；同时，也将为其后续持续进行规模扩张创造积极条件，为公司快速发展第三代半导体业务再添新动能。

此外，定增发力的GaN基电力电子器件的研发与制造项目将建立GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，将产品开发、制造与市场需求紧密结合，通过更快的产品迭代和稳定的良品率，以具有市场竞争力的性价比，快速推进GaN功率器件的大规模产业化。