SiC的经济性未来可期！

SiC的经济性未来可期！

从SiC在生产制造上的困难和挑战看SiC的成本问题

非常慢的生长速度以及主流尺寸只有4-6英寸，决定了碳化硅的衬底价格远高于硅衬底。

相比于Si的拉单晶生长，碳化硅的单晶需要更高的温度和更复杂的生长方法。

Si单晶的生长速度约为300mm/h，碳化硅单晶的生长速度约为400um/h，两者差了近800倍。

SiC晶锭的长度比硅短得多，大约只有20-50mm。

质量方面，碳化硅位错密度远高于硅、砷化镓等材料。本身还存在一些较大的应力，导致面型参数还有些问题。这些问题会降低外延材料的质量，降低器件的制造良率，影响期间的可靠性和寿命。