资本加速涌入!GaN和SiC时代即将到来

化合物半导体市场 · 2021-02-06

资本加速涌入!GaN和SiC时代即将到来

韩国贸易,工业和能源部(MOTIE)宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持。此外,SK集团最近加强了对化合物半导体的投资。预计随着公司和政府投资的结合,SiC和GaN市场将加速增长。

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体市场将看到加速增长的趋势。2月1日,MOTIE宣布,它将加大对研发和基础设施扩展的支持,以从2021年起抢占全球SiC和GaN市场。

同时,国内公司也开始进行一系列相关投资。1月28日,SK集团向YEST的子公司Yes Power Technix投资了268亿。Yes Power Technix成立于2017年,研究和开发SiC器件,其100mm和150mm生产线的SiC晶圆年生产能力为14,000片/年。此外,SK Group的SK Siltron最近收购了杜邦的SiC晶圆业务。

由于带隙大于传统Si半导体的3倍,因此SiC和GaN半导体每单位面积可承受的电压是传统半导体的10倍。作为参考,GaN和SiC的带隙分别为3.4 eV和3.2 eV,远高于当前使用的Si的1.1 eV。

SiC / GaN技术的进步允许使用更小,更节能的芯片和更高的电流速率。展望未来,SiC的采用有望在DC-DC转换和车载充电,工业应用中的功率因数校正以及太阳能逆变器中加速应用。在与SiC有关的行业中,重点企业包括韩国的RFHIC,Metal Life,Silicon Works和YEST,以及海外的Cree,Veeco,意法半导体和Rohm。