无惧高温！日本研究开发基于GaN的MEMS谐振器

无惧高温！日本研究开发基于GaN的MEMS谐振器

日本科学技术厅“胚胎科学与技术的前兆研究计划”(JST PRESTO)的研究人员开发出了一种MEMS谐振器，通过调节氮化镓(GaN)的热量产生的应变，可在高温下也能稳定工作。

该器件体积小，灵敏度高，可与CMOS技术集成，有望应用于5G通信、物联网定时装置、车载应用和高级驾驶员辅助系统。