突破!首款国产ArF光刻胶通过认证,可用于45nm工艺

光电与显示 · 2020-12-21

突破!首款国产ArF光刻胶通过认证,可用于45nm工艺

导读:12月18日,南大光电公告称,由旗下控股子公司宁波南大光电材料自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户使用认证,线制程工艺可以满足 45nm-90nm光刻需求。

图:南大光电公告

公告称,“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过,标志着“ArF 光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶。

芯片大师认为,此举意味着国产193nm ArF 光刻胶产品正式由研发走向量产阶段。

认证评估报告显示,“本次认证选择客户50nm 闪存产品中的控制栅进行验证,宁波南大光电的 ArF 光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”

本次验证使用的 50nm 闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm 光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。

公告称与该客户的产品销售与服务协议尚在协商之中,但公告并未透露使用该光刻胶的闪存客户是哪一家。

图:半导体光刻胶的分类(来源:兴业证券)

据悉,ArF 光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料,可以用于90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存储器和云计算芯片等)。

在此之前,国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中,能做到G 线(436nm)、I 线 (365nm)水平,作为先进工艺的入场券,攻克可用于28nm -7nm DUV工艺的193nm ArF光刻胶至关重要。而目前国内主要在用的ArF 光刻胶主要靠进口,EUV光刻胶主要供应来自日本。

南大光电于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”,已获得国家“02 专项”的相关项目立项,公司计划通过3年的建设、投产及实现销售,达到年产25吨 193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品将满足集成电路行业需求标准。

目前,光刻胶波长由紫外宽谱逐步缩短至g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先进的EUV(<13.5nm)线水平。

本次南大光电通过客户认证的ArF光刻胶,就属于高端半导体用光刻胶。

国元证券2019年1月研报截图

南大光电表示,ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等)。

认证评估报告显示,“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证,宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求,良率结果达标。”

南大光电认为,本次通过客户认证的产业化意义大。

“本次验证使用的50nm闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。”公告中称。

至于为何选在50nm闪存产线验证,南大光电内部人士向观察者网表示,该公司产品分别在不同客户处验证,有逻辑有存储的。因为存储的先通过,就先公告,其他的还在努力中。

不过,该人士并未向观察者网透露,公告中的客户是国内或者国外厂商。

IC光刻流程图

目前,全球光刻胶市场基本被美日大型企业垄断,中国大陆内资企业所占市场份额不足10%。

2019年,日韩贸易争端中,日本就曾通过禁运光刻胶对整个韩国半导体行业造成打击。

为支持国内企业加大光刻胶开发力度,2000年以来,我国出台多项政策支持半导体行业发展。

2006年,国务院在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目,因次序排在所列16个重大专项第二位,在业内被称为“02专项”。

公告显示,“ArF光刻胶产品开发和产业化”就是南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目。

券商统计的信息显示,南大光电2017年承接的ArF光刻胶项目总投资额为6.6亿元,其中国拨资金1.9亿万元,地方配套资金1.97亿元,使用上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金。