天域半导体确认出席与行业大咖共议SiC器件外延生长技术

第三代半导体风向 · 2020-12-08

天域半导体确认出席 与行业大咖共议SiC器件外延生长技术

近几年来,随着5G、新能源汽车、AI等新兴市场的兴起,加上国家把第三代半导体纳入十四五规划以及国内技术的成熟度提升,开始有更多的企业关注或者已经进入了第三代半导体行业。

与第一代、第二代半导体材料相比,SiC(碳化硅)等第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高压、高功率、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

SiC器件以其独特的理化性能及半导体特性,突破传统半导体材料的发展瓶颈,在汽车电子、充电桩、风能光伏、智能电网、轨道交通、航天航空、5G通信等领域开启广泛应用,也是目前技术已经达到并快速推广商业化的产品。

作为制作各种单极型、双极型SiC功率器件的关键材料,虽然6英寸SiC外延技术已经比较成熟的用于产业链,但是也有许多随着技术发展而持续改进的需求,为了让产业持续健康的发展,对于SiC器件外延生长技术中的重点及难点问题需要考虑,那么目前SiC器件外延生长存在哪些难点、痛点,又该如何解决呢?

2020年12月29日,在行家说于深圳举办的第三代半导体产业高峰论坛上,东莞市天域半导体科技有限公司的生产总监,孔令沂博士,将作《SiC器件外延生长技术及其挑战》主题分享,为企业剖析行业难点,分享最新技术,敬请期待!

演讲嘉宾:孔令沂博士

主题:SiC器件外延生长技术及其挑战

演讲亮点:

介绍SiC外延生长技术及量产过程中遇到的问题,包括不同类型的外延设备在SiC外延工艺中的特点;分享当前SiC外延工艺的技术更新方向,以及未来SiC外延产业的发展趋势。

嘉宾简介

孔令沂博士

东莞市天域半导体科技有限公司生产总监

2011年毕业于山东大学宽禁带半导体材料方向,曾任职于德国Aixtron,现任东莞市天域半导体科技有限公司生产总监,2019年被评为“东莞市特色人才”,发表SCI科技论文19篇,获发明专利授权6项。

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