12.29深圳|爱思强揭秘最新宽禁带半导体外延大规模量产方案
第三代半导体风向 · 2020-12-07
12.29 深圳 |爱思强揭秘最新宽禁带半导体外延大规模量产方案
随着全球大趋势推动,宽禁带半导体材料凭借其优良的材料特性在各个新兴领域得到了应用,尤其是SiC及GaN,近几年一直保持着很高的关注度,并在新能源汽车、5G、快充等热点产业中崭露头角,逐步在这些产业的功率器件、射频器件上替代传统硅基材料,如SiC材料在新能源汽车领域得到了广泛应用,GaN材料也已渗透消费级功率器件市场。
不过,器件生产的基石是可靠的外延材料。目前,宽禁带半导体外延大规模量产问题还未完美解决,性能、可靠性、成本等仍然是产业重点关注的问题,只有当性能和成本目标同时达到时,新材料才能更好获得终端市场的认可。“工欲善其事,必先利其器”,设备是产业链中极为重要的一环。2020年12月29日,在行家说于深圳举办的第三代半导体产业高峰论坛上,国际半导体设备龙头爱思强中国区市场营销和工艺部门经理方子文博士将重磅分享《宽禁带半导体材料的先进解决方案》,敬请期待!
主讲人:方子文
主题:宽禁带半导体材料的先进解决方案
演讲亮点
最新的SiC及GaN外延大规模量产方案,包括SiC外延炉AIX G5WW C 和GaN外延炉AIX G5+ C。当中采用了全自动化C2C解决方案和8片6寸/5片8寸的多片机配置,与此同时,实现了每片衬底的单独工艺条件控制。在保证每片外延片性能,均匀性,及缺陷/颗粒的基础上,将产能最大化来满足产品的成本要求。
嘉宾简介
方子文博士
毕业于英国利物浦大学工程学院,主修先进半导体沉积技术,现任AIXTRON中国区市场营销和工艺部门经理。他在AIXTRON曾担任工艺科学家,实验室部门经理等职,精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率及射频器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器,及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。
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