【行家快报】TI推出下一代氮化镓FET;重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片;康佳第三代半导体项目落户江西
第三代半导体风向 · 2020-12-07
【行家快报】 TI推出下一代氮化镓FET;重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片;康佳第三代半导体项目落户江西
TI推出下一代650V和600V氮化镓场效应晶体管(FET)
近日,TI正式宣布推出面向面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。
据了解,一款是针对汽车市场的650V GaN FET,另一款则是针对工业市场的600V GaN FET。需要注意的是,型号中带有Q1的为650V GaN FET产品,没有带有Q1的则是600V GaN FET产品。
据悉,LMG3525R030-Q1是一款集成驱动和保护功能的650V汽车GaN FET,可以提高系统长期稳定性并缩短充电时间,与现有的硅基和碳化硅方案相比可以减小车载充电器50%的体积,这主要得益于高达2.2-MHz的切换频率和集成驱动所发挥的优势。因此利用GaN技术可为汽车带来更快的充电时间、更高的可靠性和更低的成本。
重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片
据重庆日报报道,目前重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。
据悉,第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面,具备体积小、效率高、用电量少等特点。
“这款功率半导体芯片电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。”重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露,目前该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。
康佳第三代半导体项目落户江西
日前,总投资300亿元人民币的江西康佳半导体高科技产业园暨第三代化合物半导体项目正式落户江西省首个国家级经济技术开发区——南昌经开区。
康佳集团股份有限公司半导体科技事业部总经理于海表示,该公司围绕“半导体+新消费电子+科技园区”的核心主线,正加速向科技创新驱动的平台型公司转型,项目选择落户南昌经开区,既有良好区位优势的吸引,更看重这里的产业基础和优质营商环境。
该项目分两期建设,一期投资50亿元人民币,主要建设第三代化合物半导体项目及其相关配套产业,同步建设半导体研究院,将打造成集研发、设计、制造为一体的高科技项目;二期项目以半导体材料类、半导体应用类项目为主,以及半导体封测类、芯片设计类项目,引进一批符合该产业园定位的半导体及相关产业链项目,为实现第三代化合物半导体材料、应用、封测、芯片设计等产业生态链布局。
据介绍,该项目力争今年年底之前开工建设,2021年6月主厂房封顶,2021年年底前投产。
来源:综合网络
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