世界一流碳化硅（SiC）衬底厂商的发展历程-美国-上篇
世界一流碳化硅（SiC）衬底厂商的发展历程-美国-上篇
碳化硅（SiC）半导体材料具有独特的物化性能，使得其在大功率、高频、高温等领域中具有良好的应用优势！经过近30年的发展， SiC单晶衬底产业已经获得了快速发展，并逐渐走向成熟的阶段。SiC单晶的直径从毫米级增大到了现在的8英寸。微管缺陷密度从1.0E+3次方量级降低到现在的零微管缺陷。SiC单晶内应力从满面应力斑到现在的零应力。SiC单晶中的位错缺陷逐渐降低。随着技术发展步伐加快，SiC衬底行业也在近5年呈现出爆发增长态势。而在SiC衬底行业发展过程中，出现了多家优秀的SiC单晶衬底供应商。本文将为大家展示美国SiC单晶衬底厂商的演变发展历程。
《世界一流碳化硅（SiC）衬底厂商的发展历程》
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