英飞凌最新的SiC MOSFET可以实现电机驱动逆变器无风扇无动力制冷。

英飞凌推出了采用.XT互连技术的新型CoolSiC MOSFET，采用1200 V优化的D 2PAK-7 SMD封装。该公司表示，借助这项技术，可以实现无动力制冷。

与基于硅的解决方案相比，损耗降低了80％，无需冷却风扇和相关服务。该器件能够在各种额定功率的伺服驱动解决方案中实现高效率，而从SMD器件中获利的其他应用包括紧凑型充电基础设施和工业电源。

“没有冷却风扇的自动化解决方案在节省维护工作和材料方面开辟了一个新的现实，"英飞凌工业电源与控制事业部总裁Peter Wawer说，“通过将CoolSiC沟槽MOSFET芯片与.XT互连技术相结合，我们在小封装样式的情况下提高了散热和循环能力。这也使得驱动器可以紧凑地集成到电机内或机器人手臂中。”

伺服驱动器是制造设备中电机的“激活器”。SiC MOSFET的欧姆传导损耗和完全可控的开关瞬态与此类电机的负载曲线完美匹配。即使在与IGBT解决方案相同的EMC水平下，dv / dt：5至8 V / ns的系统损耗也可以降低80％。新型CoolSiC MOSFET SMD器件的短路耐受时间为3 μs。这满足了使用相对较小电感和短电缆的伺服电机要求。

新产品组合的额定范围为30mΩ至350mΩ。与标准封装相比，.XT技术可通过芯片封装互连消除高达30％的额外损耗。CoolSiC .XT产品组合具有一流的热性能和循环能力，与标准技术相比，可将输出电流提高14％，或将开关频率提高一倍，或将工作温度降低10至15K。

D 2PAK-7封装的1200 V CoolSiC MOSFET现在就可以订购。英飞凌还计划将SMD封装产品组合扩展到650 V，2021年将有超过18种新产品(R DS(on)25至200 mΩ)作为工程样品推出。

关于我们

《化合物半导体》中国版(CSC)是全球最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的“姐妹”杂志，亦是中国唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志，重点介绍国外先进技术和产业化经验，促进国内产业发展，为国内读者提供化合物半导体行业的专业知识。内容涵盖晶体的特性研究，器件结构的设计，生产中用到的材料、设备、软件、测量、厂房设施，以及有关市场分析和动态。

雅时国际商讯（ACT International）成立于1998年，为高速增长的中国市场中广大高技术行业服务。ACT通过它的一系列产品－包括杂志和网上出版物、培训、会议和活动－为跨国公司及中国企业架设了拓展中国市场的桥梁。ACT的产品包括多种技术杂志和相关的网站，以及各种技术会议，服务于机器视觉设计、电子制造、激光/ 光电子、射频/ 微波、化合物半导体、洁净及污染控制、电磁兼容等领域的约十多万专业读者。ACT 亦是若干世界领先技术出版社及展会的销售代表。ACT总部在香港，在北京、上海、深圳和武汉设有联络处。