华灿光电募资15亿，投Mini/Micro LED 及GaN基器件项目

8月3日，华灿光电再投资者平台披露了《2020年向特定对象发行股票并在创业板上市募集说明书》，拟通过非公开发行的股票的方式募集资金总额（含发行费用）不超过 15亿元用于Mini/Micro LED 的研发与制造项目以及GaN基电力电子器件的研发与制造项目。

公告显示本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过 150,000.00 万元，扣除发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：

来源：华灿光电《2020年向特定对象发行股票并在创业板上市募集说明书》

1、Mini/Micro LED 的研发与制造项目

项目主要产品包括 Mini/Micro LED 外延片、Mini/Micro LED 芯片等。应用于新型背光源、显示光源，广泛应用于手机、电视、车用面板及电竞笔记本电脑等消费电子领域，以及增强现实（AR）微型投影装置、车用平视显示器（HUD）投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品，并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实、光通信/光互联、医疗探测、智能车灯、空间成像等多个领域。项目建设期为三年，计划分三年进行投入。

2、GaN 基电力电子器件的研发与制造项目

项目产品为中低压系列硅基增强型p型栅GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），包括 100V、200V、600/650V 三个电压等级的多种型号，主要面向智能手机、汽车电子、数据中心等市场应用，具有高开关频率、高转换效率、高耐压强度的技术特性。通过器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效分析，建立GaN功率器件设计和工艺IP库。项目建设期三年，计划总投资额 31,641.58 万元，其中拟投入募投资金30,000.00 万元。本项目预计将帮助公司实现年均利润总额 4,247 万元。

华灿光电指出，此次募资定增的两个项目，其中Mini/Micro LED项目可以进一步提高公司在高端 LED 方面的技术实力，布局Mini/Micro LED 为代表的下一代显示技术，实现 Mini/Micro LED 的商用。 GaN项目将实现中低压 GaN 功率器件产品化和产业化，建立 GaN 功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，通过更快的产品迭代和稳定的良品率，以具有相当市场竞争力的性价比，快速推进 GaN 功率器件的大规模产业化。两个项目均整体符合公司布局高端 LED 的长期发展战略，公司具备良好的技术基础，可保障本募投项目的顺利实施。