iBeam Materials将展示其对显示器未来的愿景

使用GaNoX技术实现大面积单片microLED显示器（包括金属上的GaN和玻璃上的GaN）的领导者iBeam Materials，Inc.宣布，该公司将在2010年的两个关键行业会议上介绍其技术更新。接下来的几周。这些会议将完全在线上举行，无法旅行的观众将可以轻松访问我们的演讲。

这些讲座将讨论采用iBeam独特的GaNoX技术的超薄纸质超柔性microLED显示器的问世，该技术将消除传统的显示器尺寸限制，重新定义设备的外观，并开辟新型的移动，可穿戴，照明设备和仪器仪表产品。iBeam技术制造的大面积microLED显示器具有坚韧但纤薄的外形和高度的灵活性，可以弯曲，弯曲和适应各种形状，从而完全不同于传统的平面形式。此外，与传统的LCD和OLED显示器相比，microLED通常具有极高的亮度和更大的节能效果。

第一次演讲将于7月29日在Trendforce MicroLED论坛上进行，并将重点介绍使用GaNoX通过低成本，大面积外延实现大尺寸microLED的单片集成设计显示器的优势。现在，可以选择LED尺寸来最大化给定像素间距下的性能，而又不影响成本，而不是通常的成本驱动因素会导致选择较小的10微米以下的LED尺寸，而这会损害效率和亮度。 

此外，GaNoX的大面积功能将消除对仍在开发中的，大于几厘米的移动设备的昂贵的传质制造技术的需求。

第二次演讲将在8月3日举行的SID显示周商业会议上进行，并将重点介绍柔性，坚固，大面积基板可能实现的产品功能和可制造性。通过将更大尺寸的microLED与有源矩阵GaN晶体管而不是TFT集成在一起，我们将能够在灵活，坚固的全GaN microLED显示产品中实现高亮度和高效率的承诺。集成式大面积microLED显示器的单片工艺使该行业更接近实际的批量生产和突破性应用。为此，iBeam计划明年将其工艺扩大到50厘米大小。通过与行业合作伙伴的合作，iBeam有望在2022年之前看到可用于大规模制造的技术。

要了解有关iBeam的microLED显示屏独特方法以及灵活的R2R制造的更多信息，请访问www.ibeammaterials.com/displays 。

关于iBeam材料

iBeam Materials通过在非单晶衬底（GaNoX）上生长的外延GaN（氮化镓）器件创建新的改变游戏规则的产品类别，从而扰乱了显示，照明和可穿戴电子行业。iBeam位于新墨西哥州圣达菲，成立于2011年，是洛斯阿拉莫斯国家实验室的衍生产品。iBeam在美国能源部ARPA-E项目下与桑迪亚国家实验室和新墨西哥大学合作，使用其专有的GaNoX工艺在非单晶衬底上演示了外延GaN器件。

iBeam专门使用离子束技术对薄层进行晶体对准，从而在各种大面积基板上提供高性能，低成本的电子设备。三星风险投资公司已对iBeam进行投资，并将开发工作视为独特的战略机遇。