韩国政府将致力于极紫外光刻工艺中关键材料的研发

行家说LED快讯 · 2020-06-02

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对用于EUV(极紫外)光刻工艺的关键材料的投资将全面展开。尽管随着主要的韩国半导体公司最近开始在其生产线中引入EUV工艺,相关技术已经引起了人们的关注,但人们仍对支持该投资的相关材料,组件和设备的基础薄弱提出了批评。预计这些投资将为EUV流程扩大韩国研发生态系统的基础。

根据行业消息,5月26日,科学和信息通信技术部(MSIT)将在未来5年内投资950万美元(117亿韩元),用于“ 5nm以下半导体光刻工艺的EUV吸收和渗透材料技术”项目。材料创新项目”。包括私营部门的投资在内,总投资额为1100万美元(136亿韩元)。该项目的关键是本地化EUV光刻工艺所必需的材料,这种材料被视为尖端的半导体制造技术。韩国电子技术研究所(聚合电子材料研究中心,金亨根(负责人))将监督该项目。

此外,“ EUV-IUCC”是由汉阳大学的安进浩教授于去年成立的EUV光刻技术研究咨询小组,将负责国内外公司,学术界的集中能力。以及研究机构。参与机构和组织将开发可以批量生产处于初生阶段的EUV生态系统中已成为“蓝海”的产品的技术。具体来说,他们将在EUV面罩毛坯和EUV防护膜上工作。掩模空白表示在用电路图案覆盖之前用于光刻工艺的掩模。与基于渗透的ArF光刻工艺不同,EUV掩模需要高水平的技术,因为它们需要“反射”容易被每种物质吸收的EUV光源。

尽管该市场是由日本公司主导的,但由于世界上最大的半导体设备制造商应用材料公司(Applied Materials)已开始开发相关技术,因此被认为是一个充满希望的市场。EUV防护膜表示可保护面罩免受污染的保护罩。Pellicle减少了缺陷百分比和更换光罩的次数。但是,EUV防护膜商业化可能需要一段时间。


EUV光刻机的工作原理(参考:ASML)

FST和SNSTech是韩国公司,已开始致力于开发这些材料。FST将专注于EUV防护膜,因为它专门从事ArF光刻工艺的防护膜。有趣的是,该公司是否可以通过确保制造EUV防护膜的技术来进入下一代基础技术市场。尽管SNSTech被认为是开发EUV防护膜的公司,但它将尝试开发EUV面膜毛坯并尽快确保广泛的产品安全。此外,已经建立了可以立即评估EUV防护膜和EUV面膜毛坯性能的可靠盟友。

POSTECH旗下的浦项加速器实验室将开发一种技术,该技术可使用EUV光束检查材料的性能,而韩国标准与科学研究院将准备技术标准并评估热和机械特性。预计也将有大公司参加,因为三星电子和SK Hynix很有可能将国内技术应用于其下一代产品线。韩国电子技术研究院正计划通过该项目获得至少十项A级专利。从一个相对较慢的韩国EUV生态系统快速发展的角度来看,该项目意义重大。此外,有趣的是,韩国公司是否可以确保新技术并在由Hoya,Mitsui Chemicals和Asahi Glass等日本公司领导的全球EUV市场中建立影响力。“我们预计该项目将扩展到其他关键材料,例如EUV光刻胶以及自去年日本政府实施贸易限制以来已成为问题的其他材料。” 该行业代表说。