价格50$/颗!Nitride发布365nm半导体曝光制程UVLED

UVLED风向标 · 2020-06-01

已上头条

日本的Nitride Semiconductors表示已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统光源的UV LED。

目前,半导体制程中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯。但是,汞灯存在待机时间长、寿命短、紫外照度稳定性低、开关控制不方便等功能限制。此外,由于环境问题,预计联合国环境规划署的水俣公约将促进汞灯向LED光源的转换。

Nitride Semiconductors表示,新型NS365L-9RXT的波长为365nm,表现出高效率、节能和长寿命等优点,在正向电流If为3A,正向电压Vf为4.6V的条件下输出功率为3.2W。

LED还具有适合用于半导体曝光制程的窄发光角。半导体制程中为了精确曝光,需要平行光。通常,UV LED光源发光角较宽,约120°,用于曝光的光量往往不足。因此,通过将深度反射镜与高透光率透镜相结合,Nitride Semiconductors实现了15°或更小的发光角度。这使得用UV LED直接替换传统曝光系统的汞灯光源成为可能,而无需购买新的UV 曝光系统。

Nitride Semiconductors新型NS365L-9RXT UV LED量产1万颗时价格为5000日元/颗,即约50美元/颗。此外,产品规格紧凑,尺寸为9毫米(长)x 9毫米(宽)x 8.5毫米(高),可以提高光源的安装密度。

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