蓝宝石纳米膜可实现更高效率的microLED

行家说LED快讯 · 2020-05-12

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首尔国立大学(SNU)的研究人员与KAIST,SAIT和韩国光子学研究所合作,开发了一种将MicroLED沉积在蓝宝石纳米膜上的新方法,该方法无需切割即可实现芯片的单片化。这种方法可以实现更高效率的MicroLED器件。


在蓝宝石纳米膜(SNU)上生长的MicroLED

研究人员说,与在常规平面基板上生产的标准GaN microLED相比,该方法将microLED的内部量子效率(IQE)提高了44%。microLED还具有位错密度降低(降低了59.6%)的功能。根据他们的测试,与常规microLED相比,microLED的光致发光能力是其3.3倍。

除了在芯片(LED)级别上的优势之外,还可以使用机械力破坏纳米膜(在100nm处很薄),因此可以将microLED轻松与基板分离并转移到最终的背板上。