蓝宝石纳米膜可实现更高效率的microLED

首尔国立大学（SNU）的研究人员与KAIST，SAIT和韩国光子学研究所合作，开发了一种将MicroLED沉积在蓝宝石纳米膜上的新方法，该方法无需切割即可实现芯片的单片化。这种方法可以实现更高效率的MicroLED器件。

研究人员说，与在常规平面基板上生产的标准GaN microLED相比，该方法将microLED的内部量子效率（IQE）提高了44％。microLED还具有位错密度降低（降低了59.6％）的功能。根据他们的测试，与常规microLED相比，microLED的光致发光能力是其3.3倍。

除了在芯片（LED）级别上的优势之外，还可以使用机械力破坏纳米膜（在100nm处很薄），因此可以将microLED轻松与基板分离并转移到最终的背板上。