GaN micro LED在低电流密度下的发射效率提高了五倍

使用以高密度排列的大约10 µm尺寸的micro LED显示器引起了广泛的关注。

然而，传统的micro LED的发射效率随着LED尺寸的减小而迅速下降，特别是在对于显示操作重要的低电流密度区域（＜20A / cm 2）中。这给实现高效，高亮度，高分辨率的micro LED显示器带来了挑战。

研究人员与东北大学合作开发了提高GaN（氮化镓）micro LED效率的技术。具有高密度排列的micro LED显示器有望成为下一代可穿戴信息终端的高效，高亮度，高分辨率的显示器。

然而，传统的制造方法导致在LED侧面上的大的加工损伤，因此存在主要问题，当减小LED尺寸时，发射效率显着下降。

研究人员使用已知具有极低加工损伤的中性束蚀刻技术制造了GaN micro LED，并实现了GaN micro LED，即使将LED尺寸减小到6μm，其发射效率也几乎没有下降。