GaN micro LED在低电流密度下的发射效率提高了五倍

行家说LED快讯 · 2020-03-19

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先进工业科学技术

使用以高密度排列的大约10 µm尺寸的micro LED显示器引起了广泛的关注。

然而,传统的micro LED的发射效率随着LED尺寸的减小而迅速下降,特别是在对于显示操作重要的低电流密度区域(<20A / cm 2)中。这给实现高效,高亮度,高分辨率的micro LED显示器带来了挑战。

研究人员与东北大学合作开发了提高GaN(氮化镓)micro LED效率的技术。具有高密度排列的micro LED显示器有望成为下一代可穿戴信息终端的高效,高亮度,高分辨率的显示器。

然而,传统的制造方法导致在LED侧面上的大的加工损伤,因此存在主要问题,当减小LED尺寸时,发射效率显着下降。

研究人员使用已知具有极低加工损伤的中性束蚀刻技术制造了GaN micro LED,并实现了GaN micro LED,即使将LED尺寸减小到6μm,其发射效率也几乎没有下降。