日本Nitride开发出高效率的显示器用Micro LED UV –LED 芯片
近年来，以OLED为代表的自发光显示器已广泛用于智能手机等行业，但由于其使用寿命短、热稳定性问题，Micro LED显示器的发展随之活跃起来。
目前，实现Micro LED显示屏全彩化的方法有两种，第一种是基于三原色（红、绿、蓝）调色基本原理；第二种是蓝光μLED加荧光粉激发红色、绿色达到RGB三色配比。
RGB μLED红光因为材料较脆，要做到Micro等级的难度较高，而且很难在同一片晶圆材料上完成单片式RGB LED晶片的制程技术与材料，以及超高密度的封装。它们的电流和电压、反应速度是不同的，因此会存在一个问题，即每个芯片的控制变得非常复杂。
蓝光μLED+荧光粉方法可以将所的LED芯片集成到μ蓝光LED中，因此封装难度降低，电流和电压也可以统一，但其缺点是蓝光是主动发光的，而红光和绿光是激发的，所以存在反应速度滞后，还有另一个问题，由于蓝色激发的红色和绿色的亮度低，颜色显色性较差。
μUV-LED +RGB荧光粉解决了上述问题。结果表明，在N、P两层制备具有SLS结构的μUV-LED芯片时，发光效率提高了一倍。（有专利）
其原因是，由于扩散电流的距离短，发光复合增加，内部量子效率提高，从发光层到外部的距离变短，外部量子效率提高。
Micro UV-LED wafer Micro UV-LED chip Image of UV light
Size comparison between 24micron square chip and ball(500μｍ) of ball pen
V-Technology 实现RGB元素结构图像(Japan)
