迪思科（DISCO）开发出了利用激光从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“KABRA”。与使用线锯的传统方法相比，生产SiC晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4，产量大约可以增加到1.5倍。部分客户已经开始试用这次的加工方法。

目前从SiC铸锭上切割SiC晶圆主要使用金刚石线锯。但这种加工方法存在两大课题。1个是SiC非常坚硬，加工时间长。另1个是线锯切割部分的材料损耗大，会减少1只铸锭可以切割出的晶圆数量。这些因素导致了SiC晶圆的生产效率降低，成本居高不下。因而抬高了SiC功率元件的成本。

剥离出的口径为4英寸的晶圆

这次的加工方法遵循以下步骤。首先，沿垂直方向，从SiC铸锭的上面连续照射激光。通过这样的方式，设置吸收光的“分离层”。这时可以以任意深度，形成扁平状（激光入射方向与垂直方向）的分离层。接下来以分离层为起点，剥离SiC晶圆的薄层。然后将剥离下来的晶圆研磨成需要的厚度并出货（“规定厚度精磨”）。剥离后的铸锭表面需要另行抛光，以准备下一次的激光照射。通过重复这一连串的操作，利用1只铸锭制作出一片片晶圆。

这种方法与使用线锯的以往方法相比，缩短了加工时间，减少了裁切时的材料损耗。比如说，当使用口径为100mm（4英寸）、厚度为20mm的SiC铸锭，生产厚度为350μm的晶圆时，使用这次的加工方法切割出1片晶圆需要25分钟，加工1只铸锭总耗时约为18个小时。

迪思科表示，使用传统方法时，每加工1片晶圆，线锯切割部分的材料损耗约为200μm。而这次的方法是以分离层为起点剥离晶圆，几乎没有材料损耗。剥离后虽然需要去除分离层，但损耗可以控制在100μm。因此，1只铸锭可以加工出的晶圆数量大约是过去的1.5倍。