SSLCHINA2016&IFWS征文截止日期延期通知
中国半导体照明网
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2016-07-05
第十三届中国国际半导体照明论坛暨第三代半导体国际论坛征文通知
日期:2016年11月15-17日
地址:北京 国际会议中心
应广大专家学者老师和同学们的请求,经第十三届中国国际半导体照明论坛暨第三代半导体国际论坛程序委员会商议,决定将征文截止日期顺延。
变更后期限为:
1.论文摘要提交截止日期:2016年7月15日
2.论文摘要录用通知:2016年8月1日
3.论文全文提交截止日期:2016年9月15日
4.论文全文录用通知:2016年10月15日
5.口头报告演示文件(PPT或PDF)与POSTER电子版提交截止日:2016年10月28日
同时,论坛已正式对外发布征文截止日期延期通知,面向全球征集高质量优秀稿件,论坛长期与IEEE合作,投稿给SSLCHINA的优质论文,会被遴选在IEEE Xplore电子图书馆发表。
投稿请联系:
白璐(Lu BAI)
电话:010-82387600-602
邮箱:papersubmission@china-led.net
征文通知详情
中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,是中国地区最具国际影响力的半导体照明及智能照明行业性年度盛会,也是半导体照明领域最具规模、参与度最高的全球性高层次论坛。论坛以促进半导体照明技术和应用的国际交流与合作,引领半导体照明新兴产业的发展方向为宗旨,全面覆盖行业工艺装备、原材料,技术、产品与应用的创新发展,提供全球范围的全产业链合作平台,致力于拓展业界所关注的目标市场。
第三代半导体国际论坛(IFWS)是由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,以推进第三代半导体材料、装备、器件及相关应用的全产业链协同创新为目标的全球性高端论坛。本届论坛将围绕第三代半导体技术发展路线、应用需求、集成创新等内容,分多个分会作深入探讨。
第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2016)
征文重点内容
P201:材料与装备技术:
LED通用照明进入到规模性爆发的关键时期,进一步提高LED的发光效率和降低LED的制备成本仍然非常重要。目前,在外延方法、能量转换效率、热能管理、生产设备和工艺过程控制方面,LED仍有大幅提升空间。材料与装备技术对于LED性价比的提升至关重要,也是LED照明市场获得发展的关键推动力。
征文方向:
- 衬底材料技术
- 外延材料技术
- MOCVD或其它相关衬底外延设备技术
- 材料测试技术与装备
- 新型材料技术(石墨烯、氧化物等)
- 工艺控制及成本管理
P202:芯片、封装与模组技术
白光LED过去十年的快速发展一直围绕着对光效和成本的不懈追求。经过2015LED照明的市场起伏与行业洗牌,在进入“十三五“后的新经济、新动能环境下,LED产业又有哪些发展机遇?芯片与封装制造技术又有哪些最新进展?倒装LED芯片进入成熟期,它的性能优势与价格调整,不仅影响到芯片的市场趋势,更影响到封装、模组的技术走向,倒装芯片的广泛应用,推动了芯片级封装(CSP)以及大功率、高光密度FC-COB的的技术革命,改变了传统支架封装与高功率陶瓷封装的两头为大的格局。近期GaN on Si 硅基LED获国家科技发明一等奖,再次成为行业热题,这又将如何改变芯片与封装应用的市场前景?
LED芯片工艺、封装材料、荧光粉涂覆、透镜设计、晶圆级封装、基于高压交流驱动的集成光引擎(DOB)等上中游技术都将呈现出怎样的最新进展和发展趋势?上中游技术革新将在未来的产业格局变迁中发挥怎样的作用?敬请关注芯片、封装与模组技术的最新发展动向。
征文方向:
- LED芯片制造技术新进展
- 高光效蓝、青、绿、红光芯片技术
- LED封装材料(基板,固晶材料,硅胶,荧光粉等)的新发展
- 荧光粉、量子点技术与涂敷新工艺
- 透镜设计与光学模块
- 芯片级与晶圆级封装技术
- 多芯片封装及COB光源的设计与优化
- 高品质、全光谱光源新发展
- 用于高良率、低色容差的先进封装工艺与制造技术
- 用于新一代应用的LED光源模组、光引擎
P203:可靠性与热管理技术
可靠性与热管理技术一直是制约LED照明高品质的重要因素,如今对于可靠性的关注点已经从LED单个产品向整个系统可靠性的方向发展。在这一过程中新型散热材料、热管理技术、LED照明系统可靠性研究及设计、故障数据与失效分析、制造过程中的控制及可靠性筛选、寿命加速老化测试方法、失效模式与仿真模拟等技术的进步等都影响整个系统的可靠性。
征文方向:
- 新型散热材料
- 热管理技术
- LED照明系统可靠性研究及设计
- 故障诊断与预测
- 失效检测与失效分析
- 寿命加速老化测试和预测方法
- 失效模式与仿真模拟
- 制造过程中的控制及可靠性筛选
P204:驱动、智能与控制技术
智能照明产品日益融入智能家居系统,从不断改善和提升驱动的寿命以跟上LED光源长寿命的步伐,到逐渐向智能照明的方向进展,智能化、数字化、可控性无疑是LED引领的未来照明行业的发展趋势。热管理与高效能驱动方案、新型驱动电路与集成IC、LED调光及调色温技术、照明产品控制解决方案、无线控制技术、智能LED照明与新型互联技术、智能LED照明系统与传感技术等都成为其重要议题。
征文方向:
- 电源管理与高能效驱动方案
- 新型驱动电路与集成IC
- LED调光及调色温技术
- 照明产品控制解决方案
- 无线控制(Zigbee, Bluetooth, Wifi,Thread,Lifi等)
- 智能照明与智能家居系统的融合与集成
- 新型互联技术
- 智能LED照明系统与传感技术
- 可见光通信技术与应用
- 驱动的模组化及标准化
- 网络智能照明和POE照明技术
P205:生物农业光照技术
光是农业生产中最重要的环境因子之一,在调控动植物及微生物生长发育、实现高产、优质、高效等方面具有不可替代的重要作用。在现代农业生产系统中,人工光源已广泛应用于设施种植业、设施养殖业、设施水产与海洋捕捞、食用菌与微藻繁殖以及植保诱虫等领域。近年来, LED的应用更是为现代农业人工光源的发展注入了新的活力,“十三五”期间预计将新增光源产值上千亿元。当前,围绕LED光源在生物农业的基础研究及应用研发极为活跃,有关动植物光质生物学机理及“光配方”研究、LED生物农业照明技术研发及其在现代农业的应用示范等均取得一定的进展,但仍有一些基础性问题以及产业发展方向需要进一步深入研讨,如生物农业“光配方”数据库如何构建?如何开发高效生物农业LED光源装备?如何实现LED产业与现代农业产业链条的有效对接?权威解读技术产业发展脉动,SSLCHINA生物农业照明分会研讨将提供一个平台。
生物农业照明分会论坛将针对当前LED现代农业应用的热点和前沿问题汇聚国内外同行专家进行深入研讨,探讨动植物光质生物学机理及“光配方”最新进展,以及LED与植物工厂、育苗工厂、温室补光、畜禽养殖、食用菌与微藻繁殖、植保诱虫等现代农业结合的新理念、新技术和新成果,为LED在现代农业的应用指明方向。
征文方向:
- LED动植物光质生物学进展
- 生物农业光配方技术
- 生物农业LED灯具制造技术与新工艺
- LED现代农业(植物工厂、育苗工厂、温室补光、畜禽养殖、食用菌与微藻繁殖、植保诱虫等)应用进展
- 生物农业LED节能设计
- 农业LED智能调控技术
- 农业低成本LED设计与优化
P206:光品质与健康医疗照明技术
随着LED照明及其控制技术的不断发展,人们已经从单纯追求高光效逐步转变为对优良光品质的追求。LED光源小巧、易控、可调的特点在提供健康光品质照明上提供了机遇与挑战。在不断扩大的应用需求下,通过优化LED照明及其控制系统以及合理地将它们应用于室内外光环境的设计中对于提升LED的光品质以及提供健康舒适照明环境具有重要意义。
同时,近年来由于光照对人体健康的影响机理研究的深入,及LED器件开发的成功,LED用于日常生活与医疗光照应用日益增多,成了LED应用的一片新的蓝海。但它对视觉发育、视觉生理的诸多环节作用和影响仍需要进一步探讨,对器件研发还有很多问题尚待业界专家共同进一步研究。
征文方向:
- LED、光谱、亮度与视觉功能研究
- 蓝光对视觉的损伤之机理研究
- 光谱以及亮度对视觉发育的影响
- LED及光谱对近视等屈光不正发生发展作用的研究
- 室内外LED光环境质量评价及应用
- LED光疗法的机理研究
- LED医疗健康照明及应用
第三代半导体国际论坛
征文重点内容
S1. 碳化硅电力电子器件技术:碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度,在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。本分会的主题涵盖SiC衬底、同质外延、电力电子器件、模块封装和应用技术。分会广泛征集优秀研究成果,将邀请国内外知名专家参加本次会议,充分展示碳化硅电力电子器件技术及其应用的最新进展。
征文方向:
- SiC衬底及衬底生长技术
- SiC同质外延生长技术
- SiC材料缺陷与表征
- SiC电力电子器件技术
- SiC电力电子器件可靠性
- SiC电力电子器件封装技术
- SiC电力电子应用
- SiC电力电子技术的市场研究
S2. 氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术:宽禁带半导体氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。除了碳化硅和氮化镓电力电子器件外,具有更高性能潜力的金刚石、氧化镓等其它新型宽禁带半导体电力电子器件近年来也不断获得技术的突破。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造,氮化镓功率应用与可靠性以及其它新型宽禁带半导体电力电子器件等。将邀请国内外知名专家参加本次会议,呈现氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件研究与应用的最新进展
征文方向:
- 大尺寸衬底上GaN基异质结构外延生长和缺陷、应力控制
- GaN基电力电子器件技术
- GaN衬底材料和厚膜同质外延
- GaN电力电子器件可靠性
- GaN器件封装技术
- GaN电力电子应用
- GaN电力电子技术的市场研究
- 其他第三代半导体电子材料与器件
S3. 第三代半导体与新一代移动通信技术分会:第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议,呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
征文方向:
- 高性能微波GaN器件技术
- 用于高性能微波器件的GaN外延技术
- GaN微波集成电路技术
- GaN微波器件的可靠性
- GaN微波器件的大信号等效电路模型与物理模型
- GaN器件和电路在移动通信中的应用
S4. 第三代半导体与固态紫外器件技术分会:第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势,展现出巨大的应用潜力。本分会将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先进封装材料及技术,包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。分会面向全球广泛征集优秀研究成果,并将邀请多名国际知名专家参加本次会议,力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。
征文方向:
- 宽禁带半导体紫外发光材料及新型衬底
- 宽禁带半导体紫外探测材料
- 高效量子结构设计与生长
- 高效固态紫外发光器件
- 高灵敏度紫外探测与成像器件
- 紫外封装与模组的光提取、热管理及可靠性
- 紫外光源与探测应用新进展
征文流程
1.作者提交论文扩展摘要(Extended Abstract)。
2. 通知作者投稿录用方式:口头报告、POSTER与入刊会议论文集等。
3. 作者依据组委会的录用通知准备材料:
1) 口头报告:作者需准备论文与演示文件(PPT/PDF);
2) POSTER:作者需准备论文与POSTER文件(组委会将对POSTER进行编号并告知作者。作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并按照编号在POSTER展示区域自行张贴)
3) 入刊会议论文集:作者需准备论文。作者需要根据论文模板准备论文全文。
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注:
1) 官方网站(http://www.sslchina.org/cn/lunwen/tongzhi/)及官方网站(http://www.ifws.org.cn/en/paper/)提供相关模板下载,请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料,以便顺利通过论文审核。
2) 优质论文会被遴选在IEEE Xplore Digital Library发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。
SSLCHINA&IFWS征文要求
1. 基本要求:
1) 尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文。
2) 主题突出,内容层次分明,数据准确,论述严谨,结论明确,采用法定计量单位。
2. 摘要要求:
投稿者需按照组委会提供的模板编写扩展摘要。
3. 全文要求:
按照组委会提供的模板排版全文,论文全文格式要求为WORD,内容不超过4页。
4. 语言要求:
1) 作者须提交文体规范的英文摘要/POSTER/论文;
2) 演讲语言可以使用中文或英文,但必须用英文演示(PPT或PDF文档)。
注:含有商业性宣传内容的论文,不予安排在论坛演讲。
参会报名及更多信息,请至官网:www.sslchina.org & www.ifws.org.cn
联系我们
贾欣龙 Frank Jia
T:8610-82387600-303
M:18310277858
Email: jiaxl@china-led.net
张威威Vivi Zhang
T:8610-82387600-607
M:13681329411
Email: zhangww@china-led.net
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