2022年上半年,UV LED衬底、外延、芯片、器件及设备配套等关键环节均取得不小的技术突破,为整个产业的进一步发展奠定了坚实基础。一、衬底、模板1、均匀性≤1.5%,裂纹≤1 mm,中博芯制备出蓝宝石衬底上低缺陷密度AlN模板蓝宝石衬底上AIN模版产品性能达到新高度。近日,基于北京大学宽禁带半导体研究中心多年技术积累和研究成果,中博芯成功制备出蓝宝石衬底上低缺陷密度AlN模板,XRD摇摆曲线半高宽(002)面≤150 arcsec,(102)面≤ 250 arcsec,膜厚≥2μm,面内均匀性≤ 1.5%,裂纹≤1 mm。据了解,AlGaN基UV-LED的电光转换效率和日盲紫外探测器的暗电流强烈依赖于AlN外延层的质量。在产业界,相比于AlN单晶衬底,蓝宝石衬底上AlN模板价格优势明显,因此,高质量AlN模板是AlGaN基UV-LED和日盲紫外探测器制备的优选材料。