行家说严选 第99期
禁汞迫在眉睫!首尔、Bolb、光磊、钰创合成透露UVC新进展
››› 离全面禁汞不到一年,想要全面替换汞灯,UVLED还面临多重阻力:来自技术、成本、良率等等。UVC作为LED产业最为关注的波段,从芯片到封装再到终端应用,产业链各玩家都在齐发力。最近,首尔透露其UVC芯片在家电的最新应用,Bolb将UVC LED芯片功率提到了新高度,光磊也在积极布局UVC LED,钰创合成推出的母婴杀毒产品反响热烈……2020来临前,UVC LED充分准备好了吗?
新闻
NIST研发出纳米线UVLED,光强度提升5倍
光磊布局UVC LED等利基产品 保守看待Q1营运
Bolb公布实现UVC LED单颗芯片功率达250mW
UV-C LED需求将在2019年下半年飙升

热门问答

含汞产品明年全面禁止,UV LED充分准备好了吗?
首尔半导体 致力于打造干净、健康、美丽的世界
近年来,紫外LED的新产品开发和应用确实成为了LED行业主要被关注的热点。和传统汞灯相比较具有瞬间点亮,耗电量小,环保等各种优秀的特质 阅读全文
求教UVC LED的光功率、出光角、杀菌距离和杀菌时长之间的对应关系?
张强 广东省半导体产业技术研究院工程师|undefined
问题中说到了光功率、出光角、杀菌距离和杀菌时间几个点,正常的理论上来讲出光角小-光功率集中-灯珠的能量辐射距离会远一点-杀菌时间会短 阅读全文
300元,10秒杀毒的UV-C母婴杀毒产品,能否打动普通消费者?
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热门机构/行家

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广东省半导体院|协助解决您的技术所需
广东省半导体产业技术研究院是广东省科学院下属的18个骨干研究院所之一,正处级公益二类事业单位。承担了国家宽禁带半导体专业委员会秘工作,开展半导体照明基础理论、芯片、重大装备、外延工艺技术和封装、可见光通信及标准组件的研究及应用开发。
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文章
浅谈UV-LED
和光同盛

当前的UVB和UVC的芯片也是基于UVA的反应炉生长晶体,除了材料自身的缺陷以外,还有衬底与晶体的热伸缩系数不匹配等等问题存在,导致晶体的良率极低,成本居高不下
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图解UV LED现状和未来发展
光固化新材料

深紫外(DUV)的光电转换效率是制约UV LED应用扩展的一个重要因素,不过随着技术的发展这一值也在不断得到提高。预计UVB和UVC LED的光电转换效率在2021年有望达到10%
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详解:如何提高深紫外LED空穴注入效率
LED资讯

低空穴浓度与低空穴迁移率将导致电流主要拥挤在电极下方,引起电流拥挤效应。从而造成载流子局域浓度的升高,增加了有源区内俄歇复合几率,造成器件结温的升高,影响DUV LED的使用寿命
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