最近，国产SiC单晶生长技术又有新的突破。
5月29日，科友半导体宣布，他们的6英寸导电型碳化硅单晶制备技术又有新进展——晶锭的中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm，而且此批次晶体呈现出微凸的形貌，表面光滑无明显缺陷。
该公司表示，“这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍”。
据科友半导体测算，该批次晶体厚度达到60mm，单片成本降低到原来的30%左右，即成本下降幅度达到70%，同时由于单颗晶体的出片率大幅提升，相当于企业盈利能力翻了3倍。
他们是如何做到的？
据该公司透露，他们实现碳化硅的厚度突破是采用了新的长晶技术——基于自研的电阻炉，通过借鉴溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制，充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势，将两种制备方法的优势成功结合到一起。
6月14日，科友半导体董事长赵丽丽将出席“上海SiC大会”，并参与圆桌论坛研讨，想了解更多关于科友半导体的碳化硅进展以及技术解决方案，请扫描海报二维码进行报名。
本届大会将是一场聚焦新能源汽车、光储充等SiC终端应用的行业盛会，行家说三代半在此简单地为大家介绍一下大会亮点：
● 亮点一：汇集多家终端玩家
本届大会已受到了小鹏汽车、东风汽车、奇瑞汽车、吉利、上汽、广汽、合众汽车、沃尔沃、徐工集团、麦格纳、汇川联合动力及锦浪科技等众多汽车及光储充终端企业的高度关注和支持，预计届时将有数百位行业精英参会。
● 亮点二：汇集国内外碳化硅芯片企业翘楚
同时，本届大会还汇聚了国内外碳化硅芯片企业翘楚，英飞凌、三安、芯联动力、扬杰科技以及蓉矽半导体等将悉数出席，带来10+场SiC技术演讲，话题将覆盖汽车电子、光储充等众多领域。
● 亮点三：汇集国内TOP碳化硅衬底/外延/设备企业
天岳先进、普兴电子、泰克科技、大族半导体、晶亦精微等SiC衬底/外延/设备也将出席，届时将围绕国产碳化硅量产技术、车规级应用以及光储充应用等热门议题发布最新技术报告。
在“圆桌论坛”环节，合盛新材料、中电化合物、科友半导体以及希科半导体等知名SiC玩家将围绕“衬底及外延材料国产供应链的机会与挑战”该议题进行精彩的思想碰撞。
往届盛况
● 亮点四：SiC半导体全产业链精品展示区
会议同期，行家说还将重点打造“SiC半导体全产业链精品展示区”，将广邀业内知名的企业，全面展示产业链的最新技术，以期向观众呈现一场集行业交流、渠道联动、资源聚合于一体的行业顶尖盛会。
届时，蓉矽半导体、合盛硅业、扬杰科技、南砂晶圆、泰克科技、志橙半导体、希科半导体、高泰新材料、丰田通商及泽万丰等众多企业将展示最新技术和产品方案（持续更新中...）。
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