4月25日，2024第十八届北京国际汽车展览会盛大开幕，汇聚了多家碳化硅企业的最新技术成果。
三安半导体：
发布主驱级SiC MOSFET
三安半导体在年北京国际汽车展览会宣布新的碳化硅技术突破——1200V 8mΩ SiC MOSFET的新品首发。
在本次车展上，三安半导体展示最新研发成果——1200V 8mΩ SiC MOSFET。该公司表示，这款产品是他们目前MOS 1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。采用先进的SiC MOSFET技术，导通电阻低，开关损耗低，工作温度高达175℃，且具有超快的反向恢复时间和鲁棒性好的本征体二极管。
另外，该产品的电性能优越，具有开启电压低，实际额定电压远高于平台水平等特点。产品适用于高频电路，并使应用系统的整体尺寸减小、效率得到提升以及开关频率大幅提高。产品已广泛应用于电机驱动、断路器、不间断电源和光伏逆变器等领域。产品采用符合RoHS标准的元件，车规应用符合AEC-Q101标准。
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比亚迪半导体：
展出SiC模块
本次展会上，比亚迪半导体展出了1200V 1040A SiC模块。
该模块为车规级SiC功率模块，采用全桥拓扑、pinfin设计和双面银烧结工艺。据了解，这款模块最早于2022年6月发布。
相较于市场主流的SiC功率模块，1200V 1040A SiC功率模块成功克服了模块空间限制的难题，在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%，突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题，充分发挥了 SiC 功率器件的高效、高频、耐高温优势，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。
博世展示：
塑封碳化硅模块
博世展台上亮相了众多的新技术，主要包括电驱和碳化硅模块。
博世新一代碳化硅功率模块CSL和LSL，采用博世第二代1200V，９毫欧的碳化硅（SiC）芯片产品。对比第一代产品，第二代碳化硅芯片能够实现更高的功率密度和效率，并改进了体二极管以提高开关速度，这意味着在切换速度不变的前提下，减少了50%的dv/dt，实现单位面积Rdson 30%的缩减。这归功于博世专利的沟槽技术，该技术领先于平面型工艺碳化硅的技术表现，有利于芯片性能表现、产出与成本控制。目前，碳化硅模块的封装大多还沿用IGBT的封装技术，受限于传统封装结构，难以发挥碳化硅的性能优势。CSL和LSL分别采用壳封和塑封的结构设计，根据碳化硅芯片特性对尺寸进行了优化，显著提高了电驱产品的功率密度，并支持功率端子螺钉连接或激光焊连接，满足市场对全桥半桥的多样性需求。
多合一电桥将电机、减速器、逆变器与车载充电机（OBC）、DCDC转换器、电源分配单元（PDU）、整车控制器（VCU）等深度集成到电桥产品中，并且可拓展集成电池管理系统（BMS）、升压充电转换器（IBC）、PTC加热器、空调压缩机（ACP）等，实现了产品的高度集成化，轻量化，小型化，适应前驱和后驱不同布置需求，为客户节省布置空间，降低整车整备重量，加快投放速度。
晶能：
碳化硅塑封模块
在本次北京车展，晶能展示了碳化硅塑封模块，据介绍，该产品是高性能电动汽车主驱级功率产品解决方案，适配超800V高压系统。
浙江晶能微电子有限公司成立于2022年6月，控股股东为吉利迈捷投资有限公司，持股比例达到53.47%。
今年2月，晶能的SiC半桥模块制造项目在浙江嘉兴国家高新区了签约仪式。项目由晶能微电子与星驱技术团队共同出资设立，重点布局车规SiC半桥模块。该项目总投资约10亿元，计划年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套。
精进电动：
展出碳化硅电驱
在北京车展，精进电动展出三合一电驱动总成系列，集成方导体电机，碳化硅控制器和高效减速器，系统最高输出扭矩6100Nm，输出功率可达300kW。
该三合一总成集成的碳化硅控制器，具备效率高，响应快速，节能等优点，除此之外，该产品最大的亮点是控制器内搭载的芯片及功率器件全部具有自主知识产权，为国内首款全自主的电驱动控制器产品，供应链自主可控。
此次车展首次展出的北汽越野BJ60e车型，其后驱系统就搭载该系列中250kW三合一总成产品。
了解更多的车规级碳化硅进展，可以关注这个活动：
今年6月14日，将在上海举办第2届“汽车/光储充SiC技术大会”，本次碳化硅大会特地选择与上海光伏展同期，以方便大家参会。届时，汇川技术、锦浪科技、英飞凌、芯联动力、扬杰科技、蓉矽半导体及泰克科技等多家企业，将围绕碳化硅在“800V汽车、光储充”等领域的技术应用展开演讲，为汽车、光储充行业带来最新的SiC技术解决方案。
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