行家说UV了解到，华南理工大学，兆驰半导体在紫外LED研发有新进展。
▊华南理工大学一种无机紫外LED器件及制备方法
华南理工大学该专利涉及一种无机紫外LED器件，包括支架、曲面透镜、压环、导线和紫外芯片，所述支架上端开有“T”字形凹槽，所述紫外芯片固定于凹槽内，所述紫外芯片通过导线与支架下端的焊接层连接，所述曲面透镜放置于凹槽的台阶上，所述台阶与曲面透镜的接触面打磨有斜面，所述压环的一端与支架连接，所述压环的另一端压紧曲面透镜。在压头的压力作用下实现压环的变形使器件高强度结合，利用透镜曲面的曲率及支架斜面的接触完成自定位，以此种方式完成透镜的固定，结合强度高，稳定性好；同时避免胶水等有机材料使用，防止紫外光对有机材料的分解作用，提高紫外LED器件的寿命。
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▊一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片
江西兆驰半导体有限公司提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片，该方法包括提供一半成品紫外LED外延片，并在半成品紫外LED外延片上沉积AlN缓冲层、AlGaN过渡层及N型半导体层，其中，在制备AlN缓冲层和/或N型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理，以在AlN缓冲层和/或N型半导体层中引入至少一层刻蚀层，刻蚀气体为N2和Cl2的混合气体，具体的，由于在AlN缓冲层和/或N型半导体层引入刻蚀层，可以有效的释放底层的应力，从而可以得到更优质的有源区结构，可以更好的控制翘曲，更好的提高底层的生长质量，降低缺陷和位错密度，进一步的可以提高内量子效率。
来源：综合整理
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