12月14日晚，“2023行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数百家SiC&GaN企业代表联袂而来，共同见证第三代半导体产业的风采。
经过数月时间的紧密筹划，专家组委会和众多行业人士投票评选，2023行家极光奖各大榜单正式出炉。本届行家极光奖特别设立了【年度企业】、【年度优秀产品】、【十强榜单】三大奖项，力图为第三代半导体行业树立标杆，提升企业品牌认知度和影响力，为行业发展注入创新力与推动力。
以下是2023行家极光奖具体获奖名单：
01
年度企业
// 奖项说明
该奖项主要授予在碳化硅和氮化领域拥有一定声望，取得重要成绩，技术水平达到行业以至国内外先进水平，在推动行业发展、技术创新和市场推广等方面做出优异成绩或起到引领作用的企业。
第三代半导体年度国际领军企业
获得本年度“第三代半导体年度国际领军企业”奖项的企业是产业的“领航者”。根据《2023年碳化硅产业调研白皮书》这4家企业今年在汽车领域公开签约的订单金额超过了500亿人民币，并且与光储充TOP20企业达成了战略合作。优秀的企业满足需求，卓越的企业引领客户需求。这些企业通过碳化硅技术改变了汽车技术发展方向，让碳化硅技术遍布光储充等广泛场景，提升了下游客户的市场竞争力，也加速推动了碳化硅行业的普及化和繁荣之路。
获得该奖项的企业有：英飞凌、意法半导体、罗姆、安森美。
第三代半导体年度中国领军企业
获得本年度“第三代半导体年度中国领军企业”奖项的企业，从技术研发、生产制造和市场开拓等方面都表现出领先的意识和行动力，是中国企业在第三代半导体这条赛道上实现"追赶、并跑、领跑”的典范，他们夜以继日磨听着自己的"剑与盾”，实现了氮化核和碳化砖核心技术的国产化，率先抠响了国产芯片“上车”的突破性一枪，坚定了国产芯片进军高端市场的信心，他们的努力也在推动了国内产业进入发展快车道。
获得该奖项的企业有：三安半导体、英诺赛科、国基南方、芯联集成。
第三代半导体年度新锐企业
获得本年度“第三代半导体年度新锐企业”奖项，主要表彰本年度第三代半导体供应链中发展潜力显现，也为第三代半导体发展注入新动力的企业，是今年名副其实的年度新锐企业代表。这4家企业有着深厚的技术积累与沉淀，在碳化硅领域奋相争先，其技术创新、产品开发产能建设等方面获得市场的高度认可，作为行业“新秀”，他们已跑出加速度，正在向行业第一梯队目标迈进。
获得该奖项的企业有：芯动半导体、中科汉韵、集芯先进、天成半导体。
第三代半导体年度设备/材料企业
“第三代半导体年度设备企业”是我国SiC&GaN生产制造环节的关键玩家，为半导体基础产品提供专业可靠的精密设备和解决方案。通过长年累月的技术积累和应用检验，这批企业成为“硬核”的代名词，成为我国半导体设计、制造、封装测试环节强有力的保障，同时在产业源头上实现自有技术供给，为半导体企业孵化、培育和发展提供良好环境。
“第三代半导体年度材料企业”处于我国半导体行业的起点，致力于为芯片生产制造厂商提供优质的原材料及其高端制品。我国芯片行业要加快自研自产的进程，离不开原材料企业的全力支持，守住原材料自供率底线和质量，才能不断追赶行业前沿和领先突破。
获得该奖项的企业有：北方华创、爱发科、中国电科48所、华卓精科、纳设智能、中电科风华、特思迪、昇先创、京航特碳、诚联恺达、联合精密、弘信新材。
02
十强榜单
// 奖项说明
该奖项主要表彰本年度碳化硅/氮化家供应链中快速崛起的优秀企业，他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围，并且在全球化道路上迈出坚实的步伐，提升中国第三代半导体的全球影响力。
获得本年度[十强榜单]奖项的企业在品牌影响力、市场占有率、创新能力和未来的发展潜力等综合实力较为突出。
中国SiC衬底十强
获得该奖项的企业有：天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光股份、东尼电子、晶瑞电子、南砂晶圆、科友半导体、合盛硅业、世纪金芯。
中国第三代半导体外延十强
获得该奖项的企业有：瀚天天成、天域半导体、普兴电子、中电化合物、百识电子、晶湛半导体、希科半导体、中科汇珠、宇腾电子、芯生代。
中国GaN器件十强
获得该奖项的企业有：英诺赛科、能华半导体、安世半导体、镓未来、润新微电子、聚能创芯、京东方华灿光电、致能、氮矽科技、量芯微。
中国SiC器件设计十强
获得该奖项的企业有：飞锃半导体、爱仕特、瀚薪科技、派恩杰、安海半导体、芯塔电子、芯干线、清纯半导体、瑞能半导体、森国科。
中国SiC器件IDM十强
获得该奖项的企业有：三安半导体、国基南方、基本半导体、中电科13所、泰科天润、瞻芯电子、士兰微、中车时代半导体、长飞先进、方正微。
中国SiC模块十强
获得该奖项的企业有：比亚迪半导体、芯聚能、基本半导体、斯达半导体、利普思半导体、致瞻、南瑞半导体、芯联动力科技、国扬电子、长联半导体。
03
年度优秀产品奖
// 奖项说明
该奖项分类[影响力产品榜单]和[优秀产品榜单]主要授予碳化硅和氮化领域中，衬底、外延、器件、模组、设备、材料等环节具备影响力或表现优秀的产品，这些产品在相关领域具备一定知名度，并受到广泛认可，解决了行业中的痛点问题，技术水平达到国内外先进水平
本年度获得该奖项的产品在技术创新、性能提升、成本优化、助力量产、效率提升等方面表现优秀。
年度最具影响力产品
“年度最具影响力产品”聚焦SiC&GaN芯片生产制造及实际应用的最新成果，是众多科研成果的结晶，在提质增效、技术链接、产业振兴等方面具有重要意义，同时也指引出半导体产业的未来发展趋势。
SiC衬底年度最具影响力产品获奖产品有：
烁科晶体：8英寸导电N型衬底
普兴电子：6英寸车用大电流MOSFET碳化硅外延片
中电化合物：8英寸SiC外延片
SiC器件年度最具影响力产品获奖产品有：
意法半导体：第三代碳化硅系列产品
瞻芯电子：第二代碳化硅(SiC)MOSFET
SiC模块年度最具影响力产品获奖产品有：
英飞凌：62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅模块
芯聚能半导体：第二代车规级碳化硅三相全桥主驱模块
三菱电机：3.3kV集成SBD式SiC MOSFET模块（FMF800DC-66BEW）
GaN器件年度最具影响力产品获奖产品有：
英诺赛科的低压氮化镓芯片 INN80LA01；
罗姆半导体的650V耐压GaN HEMT。
第三代半导体材料/设备方面，获得该奖项的有：北方华创的高密度等离子体SiC刻蚀机/GDE C200高密度等离子体刻蚀机；大族半导体的SiC晶锭激光切片设备.
年度优秀产品
“年度优秀产品”聚焦国内SiC&GaN企业的多项研发成果，涉及产业链上下游各个领域，是我国半导体产业的重要基础。此外，它们代表了我国半导体产业的统筹布局和规划发展，是由点到线、由线到面、由面到体的有力见证。
获得该奖项的产品有（排名不分先后）：
崇诚国际：氮化镓元件动态参数分析仪
天科合达：8英寸导电型碳化硅衬底
三安半导体：碳化硅MOSFET
百识电子：第三代半导体 12000V碳化硅MOS级外延片
瑞能：第二代高功率密度1200V MOSFET产品系列
量芯微：高度集成 GaN IC IPM模块
基本半导体：新一代高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET芯片B2M040120Z
京东方华灿光电：1200V氮化镓水平式和垂直式功率器件
纳微半导体GeneSiC：3.3kV SiC MOSFETs
北京中电科：WG-1261全自动减薄机
三安半导体：碳化硅衬底
联讯仪器：WAT6600并行半导体参数测试系统
才道精密仪器：原子力显微镜
飞锃半导体：车规级碳化硅MOSFET
泰克科技：5系列B MSO混合信号示波器
清纯半导体：SiC MOSFET 1200V/7mR S1M007120H
智程半导体：单片薄片清洗机
蓉矽半导体：NC1M120C40HT
昕感科技：车规级碳化硅MOSFET器件
润新微电子：900V D-mode GaN器件
快克芯装备：微纳金属烧结设备
明锐理想：明锐半导体键合自动光学检查机-SW5000
国顺硅源：高纯甲基三氯硅烷(MTS)
致能科技：ZN120C1R070W
优晶科技：电阻法大尺寸碳化硅长晶设备
QORVO：750V 第四代SiC FET
安世半导体 ：SiC Schottky Diode (650 V, 10 A); PSC1065K
国星光电：内绝缘分立器件技术方案及其产品
凌云光：第三代半导体化合物外延量测机台
安海半导体：ADQ120N016 和 AI3F02R12HPD
至此，2023行家极光奖已经告一段落，但第三代半导体产业的故事仍在不断续写，让我们明年再会，共谱新章。
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匿名