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一期封顶、融资、签约,优炜芯上半年动作不断

UVLED风向 · 2023-08-24
行家说UV 导读:8月18日,优炜芯宣布位于湖北鄂州的紫外LED产业基地项目一期主楼封顶,该项目去年1月开始动工,根据优炜芯官方介绍项目建成达产后,可实现芯片线年产能10万片、器件封装年产225KK、固化模组年产60KK,年产值预计可达8亿元。

行家说UV 导读:

8月18日,优炜芯宣布位于湖北鄂州的紫外LED产业基地项目一期主楼封顶,该项目去年1月开始动工,根据优炜芯官方介绍项目建成达产后,可实现芯片线年产能10万片、器件封装年产225KK、固化模组年产60KK,年产值预计可达8亿元。

上半年融资、建厂动作不断

根据行家说UV了解,优炜芯紫外LED产业基地项目一期总投资5亿元,主要进行紫外LED产业芯片、紫外 LED器件封装及紫外LED模组建设。

值得注意的是,除了湖北鄂州的紫外LED产业基地项目一期主楼封底,优炜芯还在2023年6月28日与浙江省温州市签约了优炜芯紫外LED研发和生产基地项目,总投资约1.1亿元,同样将建设半导体紫外LED研发和生产基地,进行紫外LED芯片、模组建设。

目前优炜芯在武汉、鄂州、苏州已建有近万平方米的半导体研发和生产基地,再加上温州基地,在产能、市场占有率处于市场领先水平。

行家说UV也从企查查了解到,2月份优炜芯获得战略融资,由柘中君信、荷塘创芯创业、湖州侃鼎创业、博观芯生进行投资,也是其成立以来第6笔融资。

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年底发布更新一代高光效UVC-LED

优炜芯曾表示,紫外LED成为主流紫外光源是必然趋势,将继续专注于提供紫外LED核心芯片、器件、模组与应用。

深紫科技作为优炜芯的控股子公司,与优炜芯倾向于波长在320至400nm的近紫外LED产品定位不一样,瞄准波长200至320nm之间的深紫外LED芯片及应用。

基于2022年对外发布的高光效UVC-LED芯片灯珠产品,深紫科技表示在2023年上半年大力推进中高端市场的渗透进程,通过向客户提供高附加值的大功率UVC-LED光源及模组解决方案,实现了销售收入和利润的双增长。

在产品方面,逐步形成以WPE 5%等级产品为核心的国产高端UVC-LED产品,在年底将发布更新一代高光效产品;

深紫科技此前也透露在2023年将持续聚焦于产品光电效率及可靠性提升,实现单芯200mW级别光功率输出;芯片层面WPE达到9%以上;寿命30000h@L70级别。

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