Micro-LED的制作流程是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1-100μm等级左右；后将Micro-LED批量式转移至电路基板上，其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上；再利用物理沉积制程完成保护层与上电极，即可进行上基板的封装，完成一结构简单的Micro-LED显示。
01
Micro LED的工艺环节
晶圆形成:微型led最初是由氮化镓(GaN)等半导体材料制成的薄晶圆。
模版:然后在晶圆片上覆盖一层模版光刻胶，作为蚀刻晶圆片的掩模。
3.蚀刻:然后对晶圆进行蚀刻以创建单个微型led。
4. 掩膜去除:光阻剂掩膜被剥离，在晶圆上留下单个微型led。
5. 键合:然后将微型led键合到基板上，如IC或PCB。
6. 组装:然后将微型led组装成最终形式，如阵列或显示器。
7. 测试:然后对微型led进行测试和校准，以确保它们正常工作。
02
微缩制程技术
目前对于半导体与芯片的制程微缩目前已到极限，而在制造上的微缩却还存在相当大的成长空间，对于Micro-LED制程上，目前主要呈现分为三大种类：
Chip bonding（芯片级焊接）
Wafer bonding（外延级焊接）
Thin film transfer（薄膜转移）
03
巨量转移技术
磊晶部分结束后，需要将已点亮的LED晶体薄膜无需封装直接搬运到驱动背板上，这种技术叫做巨量转移。其中技术难点有两个部分：
1）转移的仅仅是已经点亮的LED晶体外延层，并不转移原生基底，搬运厚度仅有3%，同时MicroLED尺寸极小，需要更加精细化的操作技术。
2）一次转移需要移动几万乃至几十万颗LED，数量巨大，需要新技术满足这一要求。
目前看来，“巨量转移”都还是一个“量产前”技术，为了实现“巨量转移”的目标，市面上一些相当不一样的技术。现在总结如下：
如上图所示，目前根据已有的资料调查显示，巨量转移技术按照原理的不一样，主要分为四个流派：精准抓取，自组装，选择性释放和转印技术。
第三用物理沉淀法进行保护与上电极，完成上基板的封装。
简单说就是先把LED芯片做小，再转移到基板，最后加上电极和保护。
匿名