英飞凌推出智慧高压侧MOSFET闸极驱动器
近日，英飞凌(Infineon)针对12V/24V汽车应用推出具有整合线路保护功能的智慧高压侧MOSFET闸极驱动器EiceDRIVER 2ED2410-EM，该闸极驱动器是英飞凌40/60V OptiMOSMOSFET的理想搭档。
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据了解，该闸极驱动器具有两路输出通道，适用于两种不同的MOSFET结构：具有预充电路径的共源级或共漏极背对背配置。增强的驱动器开关功能令其能够轻松地增加MOSFET的数量，以便控制更大的负载电流。即使电流达到数百安培时，它也能在微秒内快速断开，而传统的保险丝需要等待几毫秒才能断开。此外，从短路到断开故障负载这段时间内，该器件能够在低至3V的电压下正常运行。
值得注意的是EiceDRIVER 2ED2410-EM具有三个类比测量介面和四个提供保护的整合比较器，可提供灵活且丰富的解决方案，以满足各种功能要求，包括可调节的It线路保护、过流保护、过/欠电压保护等。它可以测量双向电流并监测漏源电压，确定输出端负载开路等情况。
可调节的线路保护功能有助于为相应的负载选择尽可能小的电线截面。过去，考虑到传统保险丝的公差和老化效应，电线直径必须比实际需求多出30%的余量。该元件具有零点几微安的极低静态电流损耗，可减少车辆停放时电池的自动放电。
Vishay推薄型PowerPAK® 600 V EF系列MOSFET
N沟道器件实现高功率密度，降低导通和开关损耗，提高能效
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF，其RDS(ON)*Qg FOM创业界新低。
据悉，Vishay Siliconix n沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
其中SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封装器件低27 %，从而提高了额定功率，支持≥ 3 kW的各种应用，同时器件高度低至2.3 mm，增加了功率密度。此外，MOSFET超低栅极电荷降至70 nC。器件的FOM为3.15 Ω*nC，比同类中最接近的MOSFET竞品低2.27 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。器件满足服务器电源钛效率的特殊要求，或通信电源达到98%的峰值效率。
另外，SiHK045N60EF有效输出电容Co(er) 和Co(tr) 分别仅为171 pf和1069 pf，可改善零电压开关（ZVS）拓扑结构开关性能，如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类中最接近的MOSFET竞品低8.79 %，而其快速体二极管的Qrr低至0.8 μC，有助于提高桥式拓扑结构的可靠性。此外，MOSFET的PowerPAK 10 x 12封装具有任何表面贴装的出色热性能，最大结-壳热阻额定值为0.45C/W。SiHK045N60EF热阻抗比PowerPAK 8 x 8封装器件低31%。
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